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硅片厚度和总厚度变化测试方法(GB/T 6618-2009)

2015-02-10 10:03来源:中国新能源网关键词:硅片光伏技术光伏发电收藏点赞

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7.3 、测量校准

7.3.1 、用一块与被测硅片厚度相差50μm之内的厚度标准片,置于厚度测量仪平台或支架上进行测量。

7.3.2 、调整厚度测量仪,使所得测量值与该厚度校正标准片的厚度标准值之差在2μm以内即可。

7.4 、测且

7.4.1 、分立点式测量包括接触式与非接触式两种。

7.4.1.1 、选取待测硅片,正面朝上放人夹具中,或置于厚度测量仪的平台或支架上。

7.4.1.2 、将厚度测量仪探头置于硅片中心位置(见图1)(偏差在±2mm之内),测量厚度记为ti,即为

该片标称厚度。(采用接触式测量时,应翻转硅片,重复操作,厚度记为tl7,比较ti与ti'较小值为该片标称厚度值。)

7.4.1.3 、移动硅片,使厚度测量仪探头依次位于硅片上位置2.3.45(见图1)(偏差在±2mm之内),测量厚度分别记为t2、t3、t4、t5。

7.4.2 、扫描式测量

7.4.2.1 、采用非接触式测厚仪。如果还未组装,将与被测硅片尺寸相对应的基准环装配在平板上以及装上相应的定位器,限制环移动,检查探头应在远离操作者位置(见图4)。

7.4.2.2 、把试样放在支承柱上,使主参考面与参考面取向线平行,被测硅片的周界应与最靠近探头停

放位置的两个定位销贴紧。

投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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