北极星
      北极星为您找到“CVD”相关结果592

      来源:北极星太阳能光伏网2012-06-28

      精制sihcl3进入cvd还原炉生成多晶硅,还原尾气进入干法回收系统,分离出h2和hcl,之后再进入精馏系统,分离出sicl4,得到精制sihcl3。

      来源:PV-Tech2012-06-27

      natcore指出,这5家公司以使用等离子增强化学气相沉积(pecvd)来在其产品上沉淀薄膜著称。该公司将使用在纽约rochester研发中心的ar-box来完成测试。

      来源:solarzoom2012-06-11

      摘要:本文采用pecvd技术沉积本征非晶硅薄膜,研究少子寿命随本征层厚度、沉积气压、射频功率、氢稀释度以及硅片清洗工艺的变化规律。结果表明:本征层厚度要适中。...2实验实验采用pecvd技术,在单晶制绒硅片上双面沉积本征非晶硅层。所用硅片为5英寸n型cz片,晶向为(100),电阻率0.5~3cm,厚度约200~220m。

      来源:北极星太阳能光伏网2012-06-04

      电池以p型fz2si作为衬底,正面制作随机金字塔绒面,并通过pecvd沉积双层sinx薄膜,以起到减反射和表面钝化作用。电池背面利用局部激光烧蚀技术,烧蚀成高低不同、呈叉指状交叉排列的两片区域。

      来源:PV-Tech2012-06-01

      此外,amtech还表示,由子公司tempresssystems推出的管型pecvd产品可以帮助针对太阳能市场的子公司将规模扩大一倍。...本月早些时候中国上海举办的第六届国际太阳能行业和光伏展览会议(6thinternationalsolarindustryandphotovoltaicexhibitionandconference)上,其新型离子注入机和pecvd

      来源:北极星太阳能光伏网2012-05-30

      三洋双面hit电池结构图晶硅/非晶硅异质结结构:增加开路电压,提高转换效率光伏技术:hit电池工艺制程1.硅片清洗制绒2.正面用pecvd制备本征非晶硅薄膜和p型非晶硅薄膜3.背面用pecvd制备本征非晶硅薄膜和

      来源:中国电子报2012-05-29

      近年来,先后成功自主研发了清洗机、扩散炉、pecvd、刻蚀机、高低温烧结炉、单晶炉、铸锭炉等太阳能光伏关键装备,实现了从单一装备发展到单台装备与工艺结合,又从整线装备发展到整线装备与工艺结合的整线交钥匙系统方案

      来源:北极星太阳能光伏网2012-05-29

      另外,许多著名pecvd厂商也在为如何提升自身的竞争力殚精竭虑,例如,著名管式pecvd厂商centrotherm就推出了centaurus技术,平板式pecvd厂商roth&rau也依据平板式镀膜的优势而推出了异质结结构

      来源:日经电子2012-05-29

      利用以sih4为原料的等离子cvd进行成膜时,等离子产生的高硅烷(hos簇)会进入膜中,引起光劣化。因此,日本产综研将等离子cvd反应器内用网状金属隔开,使等离子区远离基板。

      来源:北极星太阳能光伏2012-05-25

      在太阳能电池的一般生产工艺中,经过扩散制结,等离子刻蚀去周边和pecvd制减反膜,下一工艺主要是形成良好的电极接触,而这正是通过丝网印刷和烧结两道工艺共同完成的。

      来源:北极星太阳能光伏网2012-05-24

      图6.1pecvd的结构示意图6.2pecvd的工作原理和特点目前太阳能光伏市场上用的pecvd设备,国外的主要有德国centrotherm和日本岛津的镀膜设备;国内的主要有生产型管式pecvd,接下来就该管式

      来源:北极星太阳能光伏网(独家)2012-05-18

      三、oltsolar晶体硅太阳能电池的pecvd新系统oltsolar展出了一款用于生产晶体硅太阳能电池的pecvd新系统。

      来源:ne21.com2012-05-15

      太阳能电池就是以tco薄膜为衬底生长的,用等离子体增强化学气相沉积法(pecvd)生长的太阳能电池层也称为有效层。有效层包括两个pin串联的双结结构。...其中pin膜的沉积是利用pecvd技术在非硅衬底上制备晶粒较小的多晶硅薄膜的一种方法。该薄膜是一种p-i-n结构,主要特点是在p层和n层之间有一层较厚的多晶硅的本征层(i层)。

      来源:OFweek太阳能光伏网2012-05-11

      美国商务部(doc)宣布,针对我国光伏电池进口的反补贴关税(cvd)调查和反倾销关税(ad)调查两项最终判决将同时做出。两项判决最迟不会晚于2012年7月30日做出。...ad的初步裁决将于5月16日做出,而cvd的初步判决已于3月给出。商务部宣称,我国光伏组件生产商不恰当地接受了政府的补贴。据中国业者委外成本推算台湾业者的接单量在五月之后会继续提升。

      来源:中国能源报2012-05-04

      在生产装备方面,晶体硅电池用的高档设备仍需进口,如高纯多晶硅生产的氢化炉、四氯化硅闭环回收装置、大尺寸(如450kg以上)铸锭炉、多线切割机、pecvd镀膜设备、自动丝网印刷机、全自动电池焊接机等。

      来源:北极星太阳能光伏网(独家)2012-05-04

      表面有有机油污污染或清洗液残留等造成的硅片表面沾污,在制绒过程中,会出现异常图7硅片表面因为有油污等存在,制绒后未能长出金字塔结构的绒面图8由于原始硅片手指印和有误的存在,在制绒过程中无法去除,在pecvd

      来源:中国能源报2012-05-03

      在生产装备方面,晶体硅电池用的高档设备仍需进口,如高纯多晶硅生产的氢化炉、四氯化硅闭环回收装置、大尺寸(如450kg以上)铸锭炉、多线切割机、pecvd镀膜设备、自动丝网印刷机、全自动电池焊接机等。

      来源:环球光伏网2012-05-02

      ad的初步裁决将于5月16日做出,而cvd的初步判决已于3月给出。商务部宣称,我国光伏组件生产商不恰当地接受了政府的补贴。...近日,美国商务部(doc)宣布,针对我国光伏电池进口的反补贴关税(cvd)调查和反倾销关税(ad)调查两项最终判决将同时做出。两项判决最迟不会晚于2012年7月30日做出。

      来源:北极星太阳能光伏网(独家)2012-04-27

      目前,普遍采用的等离子体增强化学气相沉积法(pecvd)沉积本征及掺杂的a-si:h膜,同时热丝化学气相沉积法(hwcvd)制备a-si:h法也被认为很有前景。...hwcvd的缺点在于非晶硅的外延可以穿透5纳米后的本征薄膜而与晶体硅直接接触,这样会导致高缺陷,这样界面面积和缺陷态密度的增大会导致高的暗电流,继而开路电压也会减低。

      来源:北极星太阳能光伏网(独家)2012-04-25

      4结论利用centrotherm管式pecvd在多晶硅上生长出双层氮化硅,底层高折射...1引言等离子增强气相沉积(pecvd)制备氢化非晶氮化硅(sinx:h)已经成为工业太阳电池的标准工艺中一道工序。