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三
洋双面HIT电池结构图
晶硅/非晶硅异质结结构:增加开路电压,提高转换效率
光伏技术:HIT电池工艺制程
1.硅片清洗制绒
2.正面用PECVD制备本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜
3.背面用PECVD制备本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜
4.在两面用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜
5.丝网印刷制备电极
光伏技术:HIT电池的优点
1.HIT电池具有较高的开路电压VOC,三洋规模化生产效率可超过20%。
2.良好的温度特性。室外使用温度经常会达到70-80度,在同样的高温下,HIT电池比晶硅太阳电池性能衰减更少。
3.HIT电池工艺均在200度以下,对于衬底硅材料的要求较低。热能投入少,同时对环境洁净程度要求较低。
4.全部在线式设备,易于实现自动化
光伏技术:HIT技术难点
1.非晶硅太阳电池的研究,现在主要着重于改善非晶硅膜本身性质,以减少缺陷密度。严格控制a-Si/c-Si界面质量,不断降低缺陷态密度。
2.优化光陷,降低反射率。
3.提高透明导电膜的电导率,透射率。
4.降低金属栅线的接触电阻。
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