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硅片厚度和总厚度变化测试方法(GB/T 6618-2009)

2015-02-10 10:03来源:中国新能源网关键词:硅片光伏技术光伏发电收藏点赞

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5、仪器设备

5.1、接触式测厚仪

测厚仪由带指示仪表的探头及支持硅片的夹具或平台组成。

5.1.1测厚仪应能使硅片绕平台中心旋转,并使每次测量定位在规定位置的2mm范围内。

5.1.2仪表最小指示量值不大于1μm。

5.1.3测量时探头与硅片接触面积不应超过2m㎡。

5.1.4厚度校正标准样片,厚度值的范围从0.13mm-1.3mm,每两片间的间隔为0.13mm±0.025mm。

5.2非接触式测且仪

由一个可移动的基准环,带有指示器的固定探头装置,定位器和平板所组成,各部分如下:

5.2.1 、基准环

由一个封闭的基座和3个半球形支承柱组成。基准环有数种(见图3),皆由金属制造;其热膨胀系

数在室温下不大于6×10-6/℃;环的厚度至少为19mm,研磨底面的平整度在0.25µm之内。外径比被测硅片直径大50mm,见表1。

投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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