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国际多晶硅、电池、组件技术路线图(工艺部分)

2013-04-07 10:58来源:SEMI关键词:多晶硅光伏组件硅片清洗收藏点赞

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光伏电池正面和背面以及多晶硅材料的再复合损失必须减小。描述再复合损失的一个办法是再复合电流J0bulk、J0front、J0rear,它们分别描述的是块状材料、电池正面和背面的再复合损失。图13是所有再复合电流的降低趋势。

再复合电流可以测量,也可以从IV曲线中获得,前提是J0已知。铝背场(BSF)的电池的背面再复合电流的值无法低于200fA/cm²。另外背面的反射率也需要改善。业界已经引入了更好的钝化工艺,同时也需要具有优化CoO的工艺设备。J0bulk的降低是由多晶硅工艺的进步带来的。准单晶材料的引入明显的改善了J0bulk。背面钝化工艺也将引入。

从电池组件获得尽可能大的功率是非常关键的。描述该性能的参数是组件-电池功率比,定义为组件功率/(电池功率x 电池数目)。如图14所示,对于多晶硅电池来说,该比率为98%,单晶硅为96%。2013年,预计该比率将增长1%,这主要是由于AR玻璃的引入。从2015年开始,新的互连技术和封装材料将使该比率进一步提升1%。

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