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多晶硅还原反应的影响因素

2012-07-31 13:25来源:北极星太阳能光伏网(独家)关键词:多晶硅硅棒光伏收藏点赞

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硅棒表面的形态还受其他因素的影响,例如杂质浓度对晶格的影响以及气体流速和配比对反应速率和表面流动状况。但主要的温度对其形貌的影响具有主要作用。所以还原炉内,尤其是硅棒表面应该保持在适当的速率范围内,不能过于强调反应速率而忽略产品质量,所以温度应该保持在一定的范围(< Tmax)。

图6、硅棒表面的气流分布

炉内硅棒的直径和电阻率的不同也是影响调节效果的重要因素。当直径为20mm,硅棒中心温度约1222℃,表面温度达1102℃;当直径为15mm,硅棒中心温度约1424℃,表面温度达1335℃,这时就容易熔断导致倒棒。所以在硅芯的制作过程中,力求每根硅芯的粗细一样,以便能很好的对电流进行自动控制。

要保持高的沉积反应速率和好的生长质量,温度控制要相当灵敏。利用高温红外测温仪在不同位置测量硅棒的表面温度,再由自动控制系统进行控制调节硅棒的加热电流值。然而,由于红外高温测温仪非常容易发生飘移,造成所测温度偏差很大,故常常造成实际所需电流与根据温度自动调节的电流不符。另外温度控制也可采用电流随时间的预定函数进行顺序控制。

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