来源:solarF阳光网2012-11-05
对于7.3.12隔离二极管,原来规定二极管不能替代过流保护装置,现在修改为二极管可以用于防止反向电流。关于防雷击这是比较含糊的,就是在建筑上要不能加直击雷防护。
来源:金融界2012-11-02
工作组4:二极管、阴影遮挡和反向偏压,主要是开发新的二极管耐久性测试方法,包括针对生产程中电池片差异性的热斑测试。我们评级系统提案有3个新等级。
来源:新浪微博2012-10-22
,热稳定后(例如1h),测量二极管的表面温度,根据以下公式计算实际结温:tj=tcase+r*u*i其中r为热阻系数,由二极管厂家给出,tcase是二极管表面温度(用热电偶测出),u是二极管两端压降(实测值
来源:中国电子报2012-10-19
我国emc内资企业的产品档次不断提升,从几年前仅能封装二极管、高频小功率管到现在可以封装大功率器件、大规模/超大规模集成电路,封装形式从仅能封装dip到封装大面积dip,以及表面封装用sop、qfp/tqfp
来源:OFweek太阳能光伏网2012-10-11
什么是单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造,其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域,在军事电子设备中也占有重要地位。
来源:PV-Tech2012-09-26
在其所有创新成果中着重针对三大领域:资源、环境与气候,食品与营养,生活质量,其中在能源领域,面对急剧增长的能源需求,巴斯夫将重心放在风能、太阳能、电动车、有机发光二极管(oled)、建筑隔热和混泥土技术的节能解决方案上面
来源:北极星太阳能光伏网2012-09-14
因为我们自己的通风设计领先,而且我们贴片二极管的设计也比较先进,可以满足大功率...自燃现象是因为它的压力和电力热量差太多,造成了里边通风不好,所以造成二极管必烧,就会引起接线盒的导电不好,从而导致接线盒烧毁。我们的接线盒首先所有的性能过了。防水、通风、降温。
来源:九江新闻网2012-08-30
总投资15亿元的九江中辉特光伏项目落户、总投资13亿元的联辉光电led发光二极管封装及商业照明项目落户、启维科技、旭阳光电、美国高派、华航太阳能等一批大企业、好项目纷纷落户,太阳能光伏产业的集聚度不断提高
来源:ofweek2012-08-03
nist团队组合了32个发光二极管,其中每个可以产生不同太阳光谱分区的光。将其他使用定制技术的现成设备组成一个系统,可以在一个相对较大的面积上测量太阳能设备的附属波长量子效率。
来源:互联网2012-07-27
低压powermosfet使低压同步整流成为现实,器件的导通电压从肖特基二极管的0.5v左右,降低到同步整流器的0.1v甚至更低,使低压整流器的效率至少提高了10%。...开关电源的损耗主要为:无源元件损耗和有源元件损耗开关损耗一直困惑着开关电源设计者,由于功率半导体器件在开关过程中,器件上同时存在电流、电压,因而不可避免地存在开关损耗,如果开关电源中开关管和输出整流二极管能实现零电压开关或零电流开关
来源:国际商报2012-07-23
而由此生产出来的光伏产品可以让2.2瓦的发光二极管灯泡发光120年。如果这块组件被安装在光照二类地区,耗电量将在1.9年内被收回,并在未来的20多年间,大致产生12098千瓦时绿色电力。
来源:北极星太阳能光伏网2012-06-29
砷化镓是重要的半导体材料,被用来制作微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等,砷化镓电池在航天领域的应用更普遍,探测火星表面的精神号和机会号机器人,采用的都是这种电池。
记者采访获悉,砷化镓是重要的半导体材料,被用来制作微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等,砷化镓光伏电池在航天领域的应用更普遍,探测火星表面的精神号和机会号机器人,采用的都是这种电池。
来源:中国能源报2012-06-28
记者采访获悉,砷化镓是重要的半导体材料,被用来制作微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等,砷化镓电池在航天领域的应用更普遍,探测火星表面的精神号和机会号机器人,采用的都是这种电池。
来源:北极星太阳能光伏网(独家)2012-06-21
为了防止太阳电池由于热斑效应而遭受破坏,最好在太阳电池组件的正负极间并联一个旁路二极管,以避免光照组件所产生的能量被受遮蔽的组件所消耗。...结合目前光伏组件户外使用的实际情况,接线盒常见失败项目主要有:ip65防冲水测试、结构检查、拉扭力试验、湿漏电试验、二极管升温试验、环境试验、750℃灼热丝试验。
来源:南京金通灵2012-06-18
而此时,由于该组的电池片出现反偏,则二极管导通,电流将沿二极管继续形成回路,不再消耗在被遮蔽的电池片上。...其实在太阳能光伏中,旁路需要的是"理想二极管",即正向没有导通压降,反向没有漏电流.正向压降是由二极管本身决定的,硅管一般在0.9v左右,肖特基一般在0.5v左右。
来源:和讯网2012-06-18
以生产阿特斯功率240瓦的cs6p组件为例,硅冶炼、硅提纯、硅锭及硅片制造、电池品制造、光伏组件制造等阶段的耗电量大致分别为38度、398度、64度、39度和5度,全程耗电544度,这可以让2.2瓦的发光二极管灯泡发光
来源:中国科学院2012-06-15
压电光电子学可以利用压电电场来调控载流子的产生、传输、分离和复合,在发光二极管、光探测和太阳能电池等领域中都有广泛的应用。...如果器件在源极或漏极中有一端或两端是肖特基接触的,当激光照射在源极或漏极时,由于压电效应、光激发和半导体特性的三相耦合,可以产生一种新的效应,即压电光电子学效应。