随着节能观念兴起，再生能源的发电效率也逐渐受到重视，为迎合市场需求，太阳能业者皆无所不用其极努力打造节能高效的太阳能发电系统。受惠近期太阳能光伏逆变器中的IGBT与MOSFET两项功率元件技术显著进步，太阳能面板转换效率已大幅提升。IGBT技术演进日趋成熟IGBT与N通道(N-ch)型MOSFET不同处在于，N-ch型MOSFET的基板极性为N;而IGBT的基板极性为P。由IGBT的构造图可看出，IGBT是由N-ch型的MOSFE与PNP型双极面结型晶体管(BipolarJunctionTransistor，BJT)组合而成。第二代的穿透型平坦式(Pu