来源：晶澳科技2022-07-20

图4 不同地面反射率，双面率差异10%发电增益数据在低辐照发电性能方面，从机理上讲，与少子寿命、开路电压、并联电阻密切相关，在辐照度600 w/m2或以下条件下，如清晨或傍晚条件下，经测算n型组件发电增益为

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2022-05-19

优异的弱光发电性能，bycium+型电池优异的内阻设计，且具有更高的少子寿命，因此对弱光的响应能力更优（在辐照度600w/㎡及以下相对于perc组件发电更高），经测算，deepblue 4.0 x早晨和傍晚的弱光发电综合增益约为

来源：光伏见闻2021-06-16

生产出来的单晶硅片将具备如下特点：高少子寿命、高集中度、高均匀性；低金属、低氧、低碳；大尺寸、薄片化、p/n型兼容。

来源：北极星太阳能光伏网2021-06-04

锦州阳光能源作为具有多年生长单晶经验的企业，不断为行业提供低含氧量、高少子寿命、产品一致性强的单晶硅片，为终端产品高转换效率、稳定输出功率夯实基础。

来源：北极星太阳能光伏网2021-06-03

看这个示意图，纵坐标是少子寿命，纵坐标是光照的时间，光照以后，只要200分钟不到，少子寿命大幅度降低。最底下是掺硼，掺硅晶体，上面一个是去熔硅，没有氧，没有硼，它的寿命不衰减。

来源：苏大光伏校友会2021-04-09

（来源：微信公众号“苏大光伏校友会” id：supvaa）目前该基地出片速度已提升至每小时1200片，后期将逐步提升；另外产品技术方面也取得重大突破，其中pecvd工序在一定条件下电池核心性能少子寿命平均突破

来源：集邦新能源网2021-01-22

n型硅片对铜、铁等金属杂质有较高的容忍度，少子寿命比p型硅片少子寿命高，没有硼氧复合带来的光衰，n型单晶硅片市场份额将逐年提高，未来市场将进一步提高。

来源：太阳能杂志2020-11-20

perc 技术中引入的背面钝化可将电池背表面载流子的复合速率降至 50 cm/s 以下，表面悬挂键降至1011 evcm2 以下，因而可改善电池背面复合，提升电池的少子寿命。...perc 技术是通过在硅片的背面增加一层钝化层( 氧化铝或氧化硅)，对硅片起到钝化的作用，可有效提升少子寿命。为了防止钝化层被破坏，影响钝化效果，还会在钝化层外面再镀一层氮化硅层。

来源：PVInfoLink2020-11-05

国内与海外多晶硅片：高价以共掺特高效价格为主(客制特规少子寿命及电阻率的范围)。均价及低价以中高效价格为主。

来源：PVInfoLink2020-11-05

国内与海外多晶硅片:高价以共掺特高效价格为主(客制特规少子寿命及电阻率的范围)。均价及低价以中高效价格为主。

来源：摩尔光伏2020-07-21

死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了voc和isc。磷硅玻璃的存在使得pecvd后产生色差,在pecvd工序将使镀的sixny容易发生脱落，降低电池的转换效率。

来源：摩尔光伏2020-07-17

暗电流一般在分选硅片时要考虑，如果暗电流过大能说明硅片的质量不合格，如表面态比较多，晶格的缺陷多，有存在有害的杂质，或者掺杂浓度太高，这样的硅片制造出来的电池片往往少子寿命低，直接导致了转换效率低!

来源：贺利氏可再生能源2020-07-10

相对p型晶硅电池，n型晶硅电池的少子寿命高，无光致衰减，弱光效应好，温度系数小，是晶硅太阳能电池迈向理论最高效率的希望。

来源：摩尔光伏2020-06-09

影响因素材料－光伏有源材料：电阻率ρ，少子寿命τ，其它杂质等。表面发射极掺杂层；背面电场；漏电流－反向饱和电流i0；理想因子n；并联电阻rsh；钝化技术－电池材料的表面和内部的钝化。

来源：摩尔光伏2020-05-21

影响因素材料－光伏有源材料：电阻率ρ，少子寿命τ，其它杂质等。表面发射极掺杂层；背面电场；漏电流－反向饱和电流i0；理想因子n；并联电阻rsh；钝化技术－电池材料的表面和内部的钝化。

来源：摩尔光伏2020-05-19

sinx薄膜具有高反射率的特点，可以有效反射透射光；且sinx薄膜中富含h 离子，能够有效钝化背面多晶硅中的悬挂键，这样可有效减少背面的载流子复合，从而提高少子寿命，对voc和jsc的提升明显。

来源：摩尔光伏2020-05-18

死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了voc和isc。磷硅玻璃的存在使得pecvd后产生色差,在pecvd工序将使镀的sixny容易发生脱落，降低电池的转换效率。

来源：贺利氏可再生能源2020-05-14

◇ 较长的少子寿命受益于本征非晶硅的良好对缺陷的钝化以及更大的禁带宽度，电池的开路电压高。...与之相比，n型硅片具有较长的少子寿命、更小的光致衰减，公认未来高效光伏电池发展将切换到ｎ-topcon、hjt等n型电池方向。

来源：光伏测试网2020-05-09

已成为主流标配技术：perc+se 技术以扩散后的 psg 层为磷源，利用激光可选择性加热的特性，在电池正表面电极位置进行磷的二次掺杂，形成选 择性重掺 n++层，可降低硅片与电极之间的接触电阻，降低表面复合，提高少子寿命

来源：申建国电新团队2020-04-16

德国konstanz大学做了实验对比，分别测试了掺硼并进行磷（p）吸杂的电池、掺镓（ga）并进行磷吸杂的电池在不同温度下的少子寿命（少子寿命降低说明存在光衰现象），发现掺硼和掺镓的perc电池都存在letid