北极星
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      来源:北极星太阳能光伏网2012-02-22

      )和可关断晶闸管(gto)等,在小容量低压系统中使用较多的器件为mosfet,在大容量系统中一般均采用igbt模块,而在高压特大容量(1000kva以上)系统中,一般均采用igct、gto等作为功率元件...电线电缆等,光伏发电用逆变器主要原料参见下表:光伏发电用逆变器主要原料逆变器的主功率元件的选择至关重要,目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(bjt),功率场效应管(mos-fet),绝缘栅晶体管(igbt

      来源:中国传动网2012-02-08

      关于柏克eps应急电源柏克eps应急电源,容量从1kw400kw,采用高速微处理器和可编程逻辑器,经软件编程控制,德国进口的第六代低损耗大功率igbt和静态开关功率器件,完美结合,是目前国内领先技术的eps

      来源:国际电子商情2012-01-06

      英飞凌highspeed3igbt引领人们对分立igbt有了新认识,这种技术及其后续研究将对降低igbt的导通和关断损耗持续进行突破创新,从而使新能源的系统设计更经济、高效。

      来源:百方网2012-01-04

      由传感器偏移或igbt通信产生的直流电流可能会引起网络麻烦。该电流可能会使变压器产生饱和,这样会使网络产生更多损失和更多谐波。对于无变压器配置,这不是个大问题。...而且,应避免由于逆变器igbt切换延迟而产生的直流偏移或使其尽可能的小。该直流偏移可导致网络分配变压器产生饱和。为了减小这个直流偏移,正在开发新的逆变器拓扑技术。

      来源:百方网2012-01-04

      由传感器偏移或igbt通信产生的直流电流可能会引起网络麻烦。该电流可能会使变压器产生饱和,这样会使网络产生更多损失和更多谐波。对于无变压器配置,这不是个大问题。...而且,应避免由于逆变器igbt切换延迟而产生的直流偏移或使其尽可能的小。该直流偏移可导致网络分配变压器产生饱和。为了减小这个直流偏移,正在开发新的逆变器拓扑技术。

      来源:北极星太阳能光伏网2011-12-28

      中新网能源频道了解到,区熔单晶硅已成为igbt的主体功能性材料。...2010年中国igbt市场规模约70亿元,未来预计将以25%以上的速度增长。目前全球有近20家区熔单晶硅制造商,其中前5位公司垄断了全球产量95%以上。

      来源:互联网2011-12-26

      而中环股份成功生长出国内首颗8英寸区熔单晶,既打破了国外对该技术的封锁,也提高了企业的竞争力,促进国内以igbt为代表的新型电力电子器件产业的发展。

      来源:湖南在线2011-12-16

      投资近3亿元的长沙创芯集成电路项目、投资14亿元的国内最大规模大功率igbt产业基地等相继开工,介面光电、宇顺电子等重大产业项目陆续建成投产,世界知名it企业富士康也助力湖南信息产业发展,其电子书、led

      来源:北极星太阳能光伏网2011-12-15

      集成电路设备主要应用于集成电路、分立器件、电力电子、太阳能电池(光伏)和tft-lcd以及igbt等领域;高精密电子元件类产品主要应用于包括航空航天在内的军工行业。

      来源:Solarbe2011-11-23

      而去年5月公司公布定增预案,拟融资11亿元投资igbt及光电子器件用区熔单晶硅材料的研发和产业化项目,以及绿色可再生能源太阳能电池用单晶硅材料产业化工程二期项目。

      来源:北极星太阳能光伏网2011-11-21

      根据此前公布的预案,公司拟非公开发行6000万股-1亿股,募集资金不超过24亿元,投向全资子公司环欧公司的"igbt及光伏电子器件用区熔单晶硅材料的研发和产业化项目"、环欧公司控股80%的中环光伏的"绿色可再生能源太阳能电池用单晶硅材料产业化工程二期项目

      来源:全景网络2011-10-18

      受到日本地震的影响,半导体元器件的供给制约,日系igbt厂商的生产能力恢复的进度成为整个逆变器上游价格不确定性的重要风险因素。

      来源:扬州日报2011-10-08

      重点研发生产光伏并网发电系统集成设备、充放电控制器、逆变器、集中和远程监控装置等调度技术和产品;发展超高压和特高压电缆、超导电缆、功能性电缆和特种专用电缆,智能化特高压、高压输配电设备,以及重点研发生产全控型大功率电力电子器件(igbt

      来源:北极星太阳能光伏网2011-10-08

      逆变器中的升压开关有两个选择:igbt或mosfet。对于需要600v以上额定开关电压的输入级,常常会采用1200vigbt快速开关,如fgl40n120and。...mosfet虽然内置有体二极管,但相比igbt中采用的组合封装二极管,其开关性能很差。新型的场截止igbt能够以10v/ns的速度转换电压,较之以往的旧式产品导通损耗大大改善。

      来源:电子元件技术2011-09-29

      在图1中,q1和q3被指定为高压侧igbt,q2和q4则是低压侧igbt。该逆变器...发展逆变器技术是太阳能应用提出的要求,本文介绍了太阳能逆变器的原理及架构,着重介绍了igbt和mosfet技术,实现智能控制是发展太阳能光伏逆变器技术的关键。

      来源:全球光伏网2011-09-27

      cpssc20ktl-o采用专利的三电平技术、igbt和mosfet并联技术,使效率在全范围内达到最大化,并具备高可靠全数字控制技术、两路最大功率跟踪、以及先进热设计、智能风扇调速等特点,各项指标均高于业界平均水平

      来源:新电子2011-09-26

      igbt技术演进日趋成熟igbt与n通道(n-ch)型mosfet不同处在于,n-ch型mosfet的基板极性为n;而igbt的基板极性为p。...由igbt的构造图可看出,igbt是由n-ch型的mosfe与pnp型双极面结型晶体管(bipolarjunctiontransistor,bjt)组合而成。

      来源:中国节能环保集团公司2011-09-16

      太阳能光伏并网发电逆变电源系统项目采用先进的最大功率跟踪(mppt)控制技术、igbt和mosfet并联技术、单周期控制技术、并网控制技术等,具有电网侧高功率因数正弦波电流、无谐波污染供电等特点,大大提高了产品的效率及可靠性

      来源:电子工程世界2011-09-08

      如图五所示,这种igbt比以往的平面式igbt提供较低的总功耗。因此,为了让太阳能逆变器的设计能够达到最高效率,槽栅igbt是高压侧igbt的首选元件。低压侧igbt低压侧igbt同样有同一问题。

      来源:电子工程世界2011-09-08

      在图1中,q1和q3被指定为高压侧igbt,q2和q4则是低压侧igbt。该逆变器用于在其目标市场的频率和电压条件下,产生单相位正弦电压波形。...自励逆变器不需要外部交流电压源,整流电压由逆变器的一部分储能元件(比如电容)来提供或者通过增加待关断整流阀(像mosfet或igbt)的电阻值来实现。输出电压被脉冲调制的自励逆变器被称为脉冲逆变器。