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▲a. 溶液旋涂软物质半导体薄膜;b.光电子能谱工作示意图;c-e. 钙钛矿半导体表面电子结构从p到n型的完全转变; f. p-n同质结的形成;g.器件效率
在以上界面现象的指导下,课题组构建并实现了功率转换效率为21.88%和填充因子为83.81%的钙钛矿光伏器件,这两个数值均是已报到的多晶MAPbI3的p-i-n结构器件的最高值。
“光电转换动力学综合分析表明,器件中的能量辐射损失得到了有效抑制。”论文第一作者熊少兵表示,该工作为深入理解软物质半导体界面电子结构特性与器件能量损失机制提供了思路。
保秦烨课题组长期聚焦基于光电子能谱与同步辐射表征技术的软物质半导体界面电子结构与光电特性调控研究。近期取得了一系列重要进展Adv. Mater. 2020, 32,2002344; Adv. Energy Mater. 2020, 10, 2000687; Nano Energy 2020,76, 105019; Nano Energy 2021, 79, 105505等。
未来,课题组计划使用绿色、可持续的基于森林系生物添加剂,并与无毒无铅钙钛矿半导体结合,最终可以实现完全绿色的钙钛矿电子器件。
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