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3.5不同清洗工艺对少子寿命的影响
目前RCA清洗法已成为半导体行业多种前后道清洗的基础工艺,一些光伏行业在实验室的研究也采取这种清洗方法,多数厂家使用了改进的RCA法。最初的RCA法依靠溶剂、酸、表面活性剂和水,在不破坏晶片表面特征的情况下喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面的污染物、有机物和金属离子污染。而改进的RCA法通过添加表面活性剂和HF,并采用稀释RCA工艺来改善清洗效果,这样不但可以大量节省化学试剂和去离子水,而且RCAⅡ号液中的H2O2可以完全被清除掉。而采用稀释氯化氢(HCl)溶液的另一优点是,在低HCl浓度下颗粒不会沉淀。本实验前面所做的实验采用的都是这RCA清洗方法。
无论是传统的还是改良后的RCA方法都使用高纯度化学试剂,这样将增加工艺成本,同时会带来环境污染,所以研发新颖的、去污效果好的清洗技术势在必行。
目前HF与03清洗方法被认识是比较有优势的替代方法,O3是空气中氧分子受到高能量电荷激发时的产物,它的特性为不稳定气体,具有强烈的腐蚀性和氧化性。在常温常压下,O3的氧化还原势比HCI和H2O2都高,因此用超净水去除有机物和金属颗粒的效率比H2SO4,与H2O2混台液等传统清洗法要高。另外,O3超净水清洗在室温下进行,且不需要进行腹液处理,故比传统的RCA清洗法县有叫显的技术优势。
为了研究不同清洗T艺对少f寿命的影响,率赛骏采州丁基于ASTEC清洗法的HF与O3清洗系统(如图5所示)来清洗制绒后的硅片,然后与采用传统RCA方法清洗的硅片做对比,测得数据(如同6所示)表明这种新曲清洗方法令少子寿命得到很大改善。
4.结论
本文采崩WT-2000测试系统,分析不同沉积条件下硅片的钝化效果,结果表明:奉征层的厚度小宦过薄或过岸;少于寿命随沉积气压和射频功率的增加均呈现先增大后减小的趋势.要想得到理想的钝化效果,沉积气压必须适中.从节能环保的角度考虑,射频功率取较小值合适,氧稀释能有效提高少于寿命;HF/O3清洗方法可"使少于寿命得到很大改善,从节约成率和环境污染的角度考虑.HF/O3|靖洗方法更具优势。(作者:陈肖静,王淑珍,王永)
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