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单晶硅缺陷的分析

2012-06-06 14:59来源:solarzoom关键词:硅片晶体硅单晶硅收藏点赞

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而同一晶面在不同的腐蚀剂中腐蚀,位错坑的形态也不完全一样;甚至腐蚀长短也影响到位错坑的形态。比如在非择优腐蚀剂(如Dash腐蚀剂)情况下硅单晶<111>面位错坑为圆形的凹坑;在晶向择优腐蚀剂中硅单晶<111)面位错呈三角形锥体,这是由于择优腐蚀剂在晶体中的各个方向的腐蚀速度不同所造成的。如图4、图5所示,硅单晶<111>在被不同的腐蚀液腐蚀后显示出不同的形状。

2.2缺陷对杂质的吸收

位错是一种线状的高应力区,有吸收杂质原子的能力,引起沿位错线的局部地区杂质浓度增加。这种作用将严重影响到器件工艺的控制,并从而影响到器件性能和成品率的提高等。

从以上两幅图中可以明显的看到,缺陷存在的地方,有明显的金属色,这是吸收了金属杂质的缘故。这两张图片很好的说明了缺陷对杂质的吸收作用。

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