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而同一晶面在不同的腐蚀剂中腐蚀,位错坑的形态也不完全一样;甚至腐蚀长短也影响到位错坑的形态。比如在非择优腐蚀剂(如Dash腐蚀剂)情况下硅单晶<111>面位错坑为圆形的凹坑;在晶向择优腐蚀剂中硅单晶<111)面位错呈三角形锥体,这是由于择优腐蚀剂在晶体中的各个方向的腐蚀速度不同所造成的。如图4、图5所示,硅单晶<111>在被不同的腐蚀液腐蚀后显示出不同的形状。
2.2缺陷对杂质的吸收
位错是一种线状的高应力区,有吸收杂质原子的能力,引起沿位错线的局部地区杂质浓度增加。这种作用将严重影响到器件工艺的控制,并从而影响到器件性能和成品率的提高等。
从以上两幅图中可以明显的看到,缺陷存在的地方,有明显的金属色,这是吸收了金属杂质的缘故。这两张图片很好的说明了缺陷对杂质的吸收作用。
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近日,国家电投、中清能源、华东新华、浙江交投、青岛城投多岗位招聘,北极星整理如下:国电投新能源科技有限公司(简称“国电投新能源”),前身是中央研究院的产业化全资子公司,负责实施国家电投“高效铜栅线晶体硅异质结光伏电池(C-HJT)研究及量产技术开发”科研课题项目。项目团队不仅搭建了300
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近日,中国电建新能源公司佛山市南山镇小芝林灵芝基5.8MW分布式光伏发电项目N型HJT光伏组件采购项目招标公告发布。公告显示,根据项目建设需要,本次项目采购单晶硅双面双玻N型HJT光伏组件,组件功率700Wp、电池片尺寸210mm,采购总容量为7.028MWp。招标范围:投标人报价范围必须完全响应招标文件所列内
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