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4.对n+、P+型硅表面的腐蚀速度比n、p型硅表面大得多,可导致表面粗糙,因而不适合使用于n+、P+型的硅片清洗。
5.添加强氧化剂H2O2(E0=1.776V),比Cu2+离子优先从Si中夺取电子,因此硅表面由于H2O2被氧化,Cu以Cu2+离子状态存在于清洗液中。即使硅表面附着金属Cu,也会从氧化剂H2O2夺取电子呈离子化。硅表面被氧化,形成一层自然氧化膜。因此Cu2+离子和Si电子交换很难发生,并越来越不易附着。D.DHF+界面活性剂的清洗据报道在HF0.5%的DHF液中加入界面活性剂,其清洗效果与HF+H2O2清洗有相同效果。E.DHF+阴离子界面活性剂清洗据报道在DHF液,硅表面为负电位,粒子表面为正电位,当加入阴离子界面活性剂,可使得硅表面和粒子表面的电位为同符号,即粒子表面电位由正变为负,与硅片表面正电位同符号,使硅片表面和粒子表面之间产生电的排斥力,因此可防止粒子的再附着。F.以HF/O3为基础的硅片化学清洗技术此清洗工艺是以德国ASTEC公司的AD-(ASTEC-Drying)专利而闻名于世。其HF/O3清洗、干燥均在一个工艺槽内完成,。而传统工艺则须经多道工艺以达到去除金属污染、冲洗和干燥的目的。在HF/O3清洗、干燥工艺后形成的硅片H表面(H-terminal)在其以后的工艺流程中可按要求在臭氧气相中被重新氧化.
五.总结
1.用RCA法清洗对去除粒子有效,但对去除金属杂质Al、Fe效果很小。
2.DHF清洗不能充分去除Cu,HPM清洗容易残留Al。
3.有机物,粒子、金属杂质在一道工序中被全部去除的清洗方法,目前还不能实现。
4.为了去除粒子,应使用改进的SC-1液即APM液,为去除金属杂质,应使用不附着Cu的改进的DHF液。
5.为达到更好的效果,应将上述新清洗方法适当组合,使清洗效果最佳。
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