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二、高方阻的缺点

串联电阻Rs=电极电阻+体电阻+薄层电阻+接触电阻。高方阻使得表面薄层电阻明显增加，增大了Rs，降低了FF。

电流横向电阻：

功率损耗：dP=I2⋅dR；(1)

dR=ps⋅dy/B；(2)

式中ps为薄层电阻率；

均匀光照下两条细栅线的正中间电流为零，向两侧线性增加，到达栅线处为最大值，因此：I=Jby，J为电流密度。

横向功率损耗：

通过减小栅线间距离可以有效减小功率损失。

方阻越高，需要越密的栅线与之配合，才能发挥出高方阻低表面浓度的优势，这其中有两个难点，其一是高方阻均匀性的控制，其二是银浆的选择，需要综合考虑银浆的导电特性、粘度等，使之适合密栅高方阻的印刷烧结。

三、高方阻实现方法

1、低温淀积+高浓度淀积

在较低温度下淀积一个低浓度的薄扩散层，接着在较高温度下加大源流量，在短时间内进行高浓度扩散。由于时间很短故只在表面堆积一层高掺杂浓度的磷硅玻璃层，这样会形成N+N结构，在理论上不仅能降低了串联电阻Rs，而且能提高开路电压Voc。

2、低浓度淀积+高浓度淀积+推进

由于方案1可能由于表面浓度过高，引起表面复合比较大，蓝光响应变小。我们可以在这基础上加一步在富氧下推进，这样就能更好的匹配表面浓度和结深。这样能在提高Voc的同时，提高Isc。

四、高方阻与烧结实验设计

烧结目的：干燥硅片上的浆料，燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触。

1、银浆

成分：玻璃粉、银颗粒、有机溶剂。

银颗粒：主要起导电作用。

玻璃粉：腐蚀硅片表面自然氧化层和减反射膜，同时起永久链接剂的作用，提高金属粉末烧结和金属层与硅片之间的黏结性。

有机溶剂：分散金属和胶联成分，它通过载体润湿粉末表面，使浆料具有流变性。

2、导电输运方式

1º银晶粒与栅线直接接触；

2º通过极薄的玻璃层隧道效应导通；

3º通过金属颗粒沉积的玻璃层的多重隧道效应；

3、欧姆接触形成过程

1º有机物的挥发；

2º玻璃料在减反射膜表面聚集；

3º玻璃料腐蚀穿过减反射膜；

4º玻璃料通过与Si发生氧化怀远反应产生腐蚀坑；Pb+Si→Pb+SiO2

5º银颗粒在冷却过程中于腐蚀坑处结晶：

（1）与PbO和Si发生的氧化还原反应类似，玻璃中的Ag2和Si发生如下反应：Ag2+Si→Ag+SiO2

（2）Ag和被腐蚀的Si同时融入玻璃料中。冷却时，玻璃料中多余的Si外延生长在基体上，Ag晶粒则在Si表面随机生长。

（3）在烧结过程中通过氧化还原反应被还原的金属Pb呈液态，当液态铅与银相遇时，根据Pb-Ag相图银粒子融入铅中形成Pb-Ag相。Pb-Ag熔体腐蚀Si的晶面。冷却过程中，Pb和Ag发生分离，Ag在Si晶面上结晶。

银浆料的类型：常规方阻正银浆料，高方阻、浅结正银浆料，常规方阻、高固含量正银浆料，高方阻、高固含量正银浆料，无铅正银浆料。

新型电池浆料：两次印刷浆料，N型电池浆料，填孔印刷浆料（MWT电池）。

投稿与新闻线索：陈女士微信/手机：13693626116 邮箱：chenchen#bjxmail.com（请将#改成@）

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