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发展硅基薄膜电池应做到以下几点:

加强技术改进，降低生产成本。技术是企业的创新之本，只有通过对硅基薄膜电池生产技术的持续改进才能不断提高产品竞争力。一是通过非晶/微晶叠层或多结结构，提高产品效率，降低光致衰减；二是提高沉积的速度和均匀性，通过大尺寸、大面积、高速率的沉积降低生产成本；三是开发柔性衬底的硅基薄膜电池生产技术，拓展硅基薄膜电池产品应用的深度和广度。技术的研发投入较高，需要国家资金的资助和引导。

提高产品应用多样性，细分光伏应用市场。硅基薄膜电池的低转换效率在短期内很难得到改观。因此鼓励硅基薄膜电池厂家充分利用硅基薄膜所具有的独特优势，利用硅基薄膜电池的低成本和发电量高的优势，一方面在我国西北日照充裕、土地荒漠、人烟稀少地区开发建设大型光伏并网电站；另一方面加强与建材的结合，在光伏建筑一体化和光伏环境一体化中发挥重要作用。

规范行业发展，避免盲目投入。硅基薄膜电池作为新兴产业处在高速发展时期，产业的整合不可避免。因此政府有关部门应通过制定薄膜电池等产品和光伏系统的相关标准，完善相关产品的质量标准，严格产品质量，以加强行业管理，规范行业发展。另外要加强投资引导，生产商获暴利的时代已过去，在没有掌握核心技术的情况下避免硅基薄膜项目的盲目投资。

存在问题

·光电转换效率低，电池稳定性差。

·初始投资成本过高，综合成本尚未显现。

光电转换效率低，电池稳定性差。与晶硅电池相比，硅基薄膜电池转换效率较低。我国硅基薄膜电池生产效率在7%左右，而单晶和多晶硅电池产业化效应已分别接近19%和17%。较低的效率使薄膜电池难以进入对电池效率要求严格的市场。对于相同的发电量，硅基薄膜电池需要较大的空间，并且需要较多的支撑结构，这样从系统的角度看，硅基薄膜电池可能失去成本低的优势。另外，非晶硅电池存在较严重的衰减问题，单结非晶硅电池衰减率可达30%，即使是多结电池，其衰减效率也在10%～15%。虽然在过去的十几年里，人们对非晶硅电池光致衰减效应进行了深入研究，并试图降低光衰退的幅度，但是非晶硅电池光致衰减并没有得到彻底的解决。

初始投资成本过高，综合成本尚未显现。虽然非晶硅生产成本很低，其主要原材料如玻璃等价格低廉，其用硅量也极少，仅相当于晶硅电池的1%。但硅基薄膜电池生产线的投资成本很高，即使采用国产设备，初始投资成本仍是晶硅电池的3倍，而采用进口设备投资成本则更高，约为5倍以上，且国外设备厂商一般只出卖设备，不转让技术和工艺，这给我国薄膜电池生产也带来一定的难题。高的设备投资成本必须通过高量产和低生产成本才能获利。但薄膜电池的低成本优势尚未真正实现降低，在售价方面，晶硅电池约为13元/瓦～14元/瓦，薄膜电池约在10元/瓦，单价虽低于晶硅电池，但由于转化率低，相对于晶硅电池，其综合成本优势并不明显。

产品更新换代较快。我国硅基薄膜电池属于发展初期，转换效率多在6%～7%之间，产品光电转换效率提升空间较大。根据经验公式，转换效率每提高1%，生产成本将下降7%，每次必须通过提高硅基薄膜产品的转换效率以保持产品的市场竞争力。硅基薄膜电池效率的提升主要通过改变非晶硅叠层的化学成分或多结的形势实现，每一种改变，对相应的设备均提出一定的要求，特别是关键生产设备PECVD和PVD，其投资占到整条生产设备的2/3。对于投资者来说，将面临刚投入生产，就不得不继续加大设备投资的局面，以应对市场带来的挑战。

投稿与新闻线索：陈女士微信/手机：13693626116 邮箱：chenchen#bjxmail.com（请将#改成@）

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