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深度报告 | 太阳能电池、组件技术升级百花齐放 光伏设备需求景气延续

2020-05-08 09:49来源:华创证券关键词:太阳能电池光伏组件光伏设备收藏点赞

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我们假设到 2022 年,210 硅片在大尺寸硅片市场占比达到 22.4%,同时随着技术进步及设备产能提升,210 及非 210 硅片单 GW 设备平均投资分别下降至 1.65 和 2.25 亿元,则对应 2020-2022 年硅片设备需求有望达到 312~410 亿元, 其中单晶炉市场空间 232~306 亿元,截断机 3~4 亿元,切磨加工一体机 32~42 亿元,切片机 35~47 亿元,分选机 9~12 亿元。

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(三)国产化程度高,G12 对现有设备提出更高要求

目前,总体来看,我国硅片设备国产化程度已达到较高水平,单晶炉、截断机、切片机等环节设备,国产厂商已具 备比较明显的竞争优势,具体而言,国产设备在加工效率、加工效果等方面与进口设备不相上下,且相比进口设备具备明显的成本优势,此外,与海外厂商相比,国产厂商还有贴近国内市场、售后服务体系更加完善的优势。硅片 分选机是光伏硅片制造环节最晚实现国产化的设备,2017年以前硅片生产厂商所用硅片分选机主要还依赖进口,2017 年开始以奥特维为代表的国内厂商突破核心技术,推出了进口替代产品,2018 年市占率超过 11%。

G12 硅片对单晶炉、滚磨机、截断机、切片机等硅片设备提出了相应的改造需求,晶盛机电成功研制出新一代光伏 单晶炉,可兼容更大热场,具备更大的投料量能力,可满足 G12 硅棒全自动生长,并开发了适用于 G12 硅棒加工需 求的截断机、切磨复合加工一体线设备,实现光伏硅棒加工设备 G2-G12 全尺寸兼容。此外,晶盛机电还成功研制 出新一代切片机,具备高线速、高承载、高精度的切割能力,是国内第一次批量应用针对 G12 大尺寸硅片的专用金 刚线切片设备。

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三、电池片环节

(一)发展趋势:“PERC+”延展 PERC 生命力,新一代电池技术酝酿更迭

电池片环节正处在新一代技术路径探索期,提效降本“百花齐放”:PERC 技术已成主流并处在持续推进工艺升级 的过程当中,TOPCon 将背接触钝化镀膜思想和技术引入太阳能电池的生产制造环节,可在 N 型和 P 型两类衬底上 使用,为降低终端 LCOE 提供了新路径。HIT 作为双极型晶体硅电池的最高形式,技术效率提升潜力巨大,电池厂 商纷纷布局寻求突破。

1、PERC 技术已成主流,工艺升级趋势下,生命力有望延续

相比 BSF,PERC 更具效率优势:PERC 电池(钝化发射极和背面电池)起源于上世纪 80 年代,并自 2015 年开始 逐步市场化。PERC 电池通过在电池背面增加钝化层,阻止载流子的复合行为,减少电损失,同时增强电池背表面 光反射,减少光损失,进而提高电池转换效率和电池性能。PERC 电池内部反射增强,有效降低了长波的光学损失, 背面钝化提升了开路电压和短路电流,使得电池转化效率相比传统 BSF 电池更高。2019 年 PERC 电池的平均量产 效率已经从 2014 年的 20.1%提升至 22.3%~22.5%,平均每年提升 0.5%。

PERC 技术仅需在 BSF 基础上增加两道工序即可完成升级改造:PERC 技术在常规 BSF 电池基础上增加背面钝化层 沉积和激光开槽两道工序,此外,针对背部抛光需对基于化学湿台的边缘隔离步骤稍作调整,即可实现传统 BSF 电 池产线向 PERC 产线的升级。背钝化层主要采用氧化铝作为背钝化材料(氧化硅、氮氧化硅也可作为背钝化材料), 氧化铝由于电荷密度较高,可降低背表面少子的复合速率,钝化效果较好,同时为保证电池背面的光学性能,还会 在氧化铝表面覆盖一层氮化硅膜作为保护层。为使背面金属电极与硅形成良好的欧姆接触,需要对钝化层进行刻蚀,目前主流工艺采用激光开槽的方式来完成这一工序。

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PERC 技术日趋成熟,“PERC+”成为 PERC 工艺升级,提升光电转换效率的重要方向,目前,PERC 工艺升级路 线主要包括 PERC+SE、PERC+MWT、双面 PERC 等。

PERC+SE 技术带来 0.2%~0.3%的转换效率提升,与现有 PERC 产线兼容性较高,已成为主流标配技术:PERC+SE 技术以扩散后的 PSG 层为磷源,利用激光可选择性加热的特性,在电池正表面电极位置进行磷的二次掺杂,形成选 择性重掺 N++层,可降低硅片与电极之间的接触电阻,降低表面复合,提高少子寿命,同时还能改善光线短波光谱 响应,提高短路电流与开路电压,进一步提升电池效率。相比 PERC,SE 技术可带来 0.2%~0.3%的转换效率提升。

PERC+SE 技术与现有 PERC 产线具备良好的兼容性,通过增加激光掺杂工艺即可实现,对应到设备端,仅需在原有 PERC 产线上增加激光掺杂设备。包括晶科、隆基、晶澳、通威、天合、爱旭、东方日升等在内的大部分电池厂商 均在 PERC 产线中引入 SE 技术,据 Energy Trend 统计,2018 年超过 60%的 PERC 产能配置了 SE 工艺。

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MWT 工艺可实现 0.4%的效率提升,产线改造仅需增加激光镭射打孔设备:采用激光打孔、背面布线的技术消除正 面电极的主栅线,细栅线搜集的电流通过孔洞中的银浆引到背表面,使得正负电极均分布在背表面,有效减少正面 栅线的遮光,降低金属电极-发射极界面的载流子复合损失,提高光电转化效率,同时降低银浆消耗量,从而进一步 降低成本,MWT 技术可实现约 0.4%的转换效率提升。由于 MWT 电池正负电极点均分布于背表面,且不在一条直 线上,常规焊带焊接互联方式无法适用,因此,MWT 组件采用金属箔作为导电背板,在金属箔上进行电路设计,每 片电池片通过导电胶和金属箔电路互联形成完整的电流回路,再利用胶膜等封装材料封装,省去了复杂的高温焊接 过程,避免了焊接应力和微裂导致的性能衰减,更容易实现自动化和高产能,降低了破片率。MWT 工艺同样具备良 好的产线兼容性,额外增加的关键步骤为在硅片、铜箔及封装材料中精确打孔,通过在前端增加激光镭射打孔设备 即可实现。

天威、阿特斯、英利、晶澳、日托光伏均宣称具备 MWT 量产能力。成立于 2012 年的日托光伏专注于 MWT 电池的 研发和生产,是全球唯一也是首家实现 GW 级 MWT 技术产业化的公司,通过 PERC 叠加 MWT 技术,单晶硅电池 效率达到 22.7%,引入 SE 工艺后,转换效率超过 23%,同时可兼容超薄电池片,适合于柔性电池组件的应用。日托 光伏已建成超过 2GW“PERC+MWT”高效产能,可兼容大尺寸、支持超薄硅片工艺要求,单线产能达到 200MW。 日托光伏结合先进 MWT 平面封装技术,60 片型单晶 PERC 电池组件效率超过 20.3%。

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双面 PERC 电池海外接受度有所提升,关键改变在于背面铝栅线印刷:PERC 电池背表面采用铝浆构成的不透明铝 背场,转变为双面 PERC 电池需要将背表面变为局部铝栅线结构,不再覆以铝浆,但背表面主栅仍采用银基材料。 相比于 PERC,双面 PERC 降低了铝浆的用量,可实现双面发电,主要优化方向在于背面印刷精度和背面铝栅线, 在丝网印刷环节尽量将铝浆印刷在激光开孔处,使光生电流可以通过开孔处导出。此外,在浆料中添加硅有助于获 得有效的 BSF 并使空隙最小化,目前铝浆技术已经取得较大突破。2019 年 10 月,苏民新能源高效单晶双面 PERC 电池采用 G1 主流尺寸硅片搭配 9BB 设计图形,产业化平均效率达到 22.78%。双面 PERC 电池主要应用于双玻组件、 使用背板封装的“单面”PERC 电池和具有透明背板的组件等场景。据 PV Infolink,2019 年海外市场对双面组件接 受度有所提升,需求约为 7.7GW,2020 年需求有望达到 11.8~19.5GW 之间。

PERC 引领电池端降本增效,市场占比快速提升:PERC 电池在效率方面的优良表现,对传统铝背场电池形成了快 速替代。2019 年新建电池片产线均采用 PERC 技术,叠加老线技改,使得 PERC 电池市场占比迅速提升至 65%。

2、N 型技术受青睐,产业化脚步渐行渐近

N 型单晶硅通过在纯净硅晶体中掺入磷元素形成,自由电子为多子,空穴为少子。相比于 P 型单晶硅,N 型单晶硅由于存在相对较多的自由电子,少子复合速率低、寿命高,且以磷为掺杂元素,无硼氧复合体,因此光致衰减小, 具备更大的效率提升空间,因而成为高效电池的优选项。

PERT 电池(钝化发射极背面全扩散电池)使用少子寿命高的 N 型硅片作为衬底,电池几乎无光致衰减,正面使用 硼扩散形成发射极,背面采用磷全扩散,是钝化接触工艺流程中的入门级结构。N-PERT 电池工艺的关键在于双面 掺杂和双面钝化技术。正面扩硼主要采用液态三溴化硼管式扩散方式,相比其他扩硼方式更有利于避免金属污染, 背面磷背场可通过热扩散和离子注入的方式形成,热扩散工艺由于涉及二次扩散,需要额外的掩模工艺和清洗工艺 以及特殊的边缘隔离,提升了制造的成本和复杂性,而离子注入可实现单面掺杂,均匀性好,可简化制造流程。表 面钝化方面,背表面采用氧化硅/氮化硅叠层钝化膜可以起到良好的表面钝化和场钝化效果,正表面使用氧化铝钝化 膜则效果更好。2019年4月,IMEC及其合作伙伴EnergyVille与中来合作开发的N-PERT电池正面转换效率已达23.2%。 相比于 P-PERC,N-PERT 需要增加硼扩散和清洗步骤,且由于在效率提升方面不及 PERC,开始逐步向 TOPCon 钝化接触工艺进行升级。

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投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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