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产品名称:上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 40

联系人:叶女士
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产品说明

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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

 

KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数:

型号

KDC 40

供电

DC magnetic confinement

 - 阴极灯丝

1

 - 阳极电压

0-100V DC

电子束

OptiBeam™

 - 栅极

专用, 自对准

 -栅极直径

4 cm

中和器

灯丝

电源控制

KSC 1202

配置

-

 - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament  LFN 1000

 - 架构

移动或快速法兰

 - 高度

6.75'

 - 直径

3.5'

 - 离子束

集中

平行

散设

 -加工材料

金属

电介质

半导体

 -工艺气体

惰性

活性

混合

 -安装距离

6-18”

 - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架

 

 

KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域:

溅镀和蒸发镀膜 PC

辅助镀膜(光学镀膜)IBAD

表面改性, 激活 SM

离子溅射沉积和多层结构 IBSD

离子蚀刻 IBE

 

1978 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论请联络上海伯东罗先生

 

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