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产品名称:上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 75

联系人:叶女士
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产品说明

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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.

 

KRI 考夫曼离子源 KDC 75 技术参数:

型号

KDC 75 / KDC 75L(低电流输出)

供电

DC magnetic confinement

 - 阴极灯丝

2

 - 阳极电压

0-100V DC

电子束

OptiBeam™

 - 栅极

专用, 自对准

 -栅极直径

7.5 cm

中和器

灯丝

电源控制

KSC 1212 KSC 1202

配置

-

 - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament  LFN 2000

 - 安装

移动或快速法兰

 - 高度

7.9'

 - 直径

5.5'

 - 离子束

聚焦

平行

散设

 -加工材料

金属

电介质

半导体

 -工艺气体

惰性

活性

混合

 -安装距离

6-24”

 - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架

 

 

KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域:

溅镀和蒸发镀膜 PC

辅助镀膜(光学镀膜)IBAD

表面改性, 激活 SM

离子溅射沉积和多层结构 IBSD

离子蚀刻 IBE

 

1978 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论请联络上海伯东罗先生

 

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