据悉,日商三菱材料(Mitsubishi Materials)昨(9)日发布新闻稿宣布,旗下位于日本三重县的四日市工厂于9日13点05分(GMT+8)发生爆炸事件,造成5人死亡、12人受伤。该座四日市工厂主要生产作为硅片原料的“多晶硅”,现阶段尚不清楚该起事故将对顾客端造成怎样的影响。据时事通信社指出,该座四日市工厂的多晶硅年... [详情]
三菱材料(Mitsubishi Materials)高管正在接受调查,关于可能的专业疏忽导致日本三重县硅加工厂重大爆炸造成的死伤。该爆炸发生在一月九日下午,当时热交换器外壳正在被清洗,造成四日市工厂五名员工死亡,另十二名员工受伤。根据《朝日新闻》日报,四日市消防部门和三重县警方调查该工厂,怀疑专业疏忽导致死亡。三菱材料公司总裁Hiroshi Yao在爆炸几个小时后的新闻发布会上就该事故公开道歉。Yao在发布会上表示,该工厂的安全措施可能需要进行审查。三菱材料还向日本媒体宣布,该公司董事会的成员将通过每月薪酬降低高达30%的方式承担责任。该公司还任命了新...
https://guangfu.bjx.com.cn/news/20140120/487585.shtml 2014-01-20日商三菱材料(MitsubishiMaterials)在日本三重县多晶硅厂10日宣布设备停工,引发关注。对此,台湾太阳能业者分别解读,目前主要多晶硅供料仍属供过于求,年前价格的上涨仅是不理性,而三菱材料多晶硅厂的停工是有助于上游年前加紧清库存,但仍要观察停工期间实际去化程度,总体价格仍回归市场机制。上游多晶硅供料现货飙涨,主要在农曆年前存在一波来自中国大陆市场的扫货,台湾太阳能业者早先指出,现货价格近期受人为炒作而有非理性飙涨,然而合约价格仍相对稳定,研判炒作的现货价格能在农曆年前稳定。然而,在日商三菱材料10日发出新闻稿宣佈设备停工与公司指库存仍有约...
https://guangfu.bjx.com.cn/news/20140114/486468.shtml 2014-01-14日商三菱材料(Mitsubishi Materials) 旗下位于日本三重县的四日市多晶硅工厂于9日发生爆炸起火事件(查看本站早前报导),该座工厂主要生产作为硅片原料的“多晶硅”。据日经新闻报导,虽然生产设备本身的损害程度轻微,但为了确保作业的安全性,该座多晶硅工厂生产设备自10日起将暂时停工,复工日目前仍未定,目前该工厂的多晶硅库存约有1个月份量。报导指出,四日市工厂多晶硅年产能为2,800吨,其中约7成产量供应给硅片大厂SUMCO,生产供半导体使用的硅片;而三菱材料美国工厂也生产多晶硅、年产能为1,500吨,故若因停工时间...
https://guangfu.bjx.com.cn/news/20140113/486114.shtml 2014-01-13据悉,日商三菱材料(Mitsubishi Materials)昨(9)日发布新闻稿宣布,旗下位于日本三重县的四日市工厂于9日13点05分(GMT+8)发生爆炸事件,造成5人死亡、12人受伤。该座四日市工厂主要生产作为硅片原料的“多晶硅”,现阶段尚不清楚该起事故将对顾客端造成怎样的影响。据时事通信社指出,该座四日市工厂的多晶硅年产能为2,800吨,所生产的产品7成供应给全球第2大硅片厂商SUMCO。三菱材料表示,该座四日市工厂部份产线将自10日起停止生产,惟因爆炸现场离产线有段距离,故设备本身的损害轻微。日经表示,因SUMCO位...
https://guangfu.bjx.com.cn/news/20140110/485871.shtml 2014-01-10道康宁公司宣布,将投资约2.4亿美元购买各三菱综合材料株式会社分别在赫姆洛克HemlockLLC公司和Hemlock半导体公司12.25%的股份,以增加其在Hemlock半导体有限责任公司和Hemlock半导体公司的所有者权益。此次收购使道康宁在Hemlock公司有更大的自主权,旨在产生更多的盈利和现金流。道康宁还同意在未来几周内购买Hemlock半导体PTE公司中三菱材料的12.25%的全部股权。通过收购,道康宁拥有Hemlock半导体有限责任公司100%股份和Hemlock半导体公司80.5%的福分。信越半导体有限公司仍持有Hemlock半导体公司...
https://guangfu.bjx.com.cn/news/20131205/477810.shtml 2013-12-05三菱材料开发出了用于薄膜硅型太阳能电池电极的Ag(银)纳米墨、ITO(氧化铟锡)纳米墨及SiO2墨。这些墨系将纳米颗粒分散到墨中制成,涂布在薄膜硅型太阳能电池的Si层上后,可以形成名为背面电极的亚微米级厚度的薄膜。其光电转换效率可与原来的真空成膜相当。薄膜硅型太阳能电池的优点有:硅用量可减至结晶硅型的1/100左右、能量偿付期(所发电力达到制造该产品所需电力的运行时间)短、与化合物半导体型太阳能电池相比不容易受Te(碲)等原料用量的限制等。不过,对太阳能电池厂商而言,引进多种真空成膜装置的初期投资成本高是一个很大的问题,需要通过转变成涂布成膜工艺来大幅...
https://guangfu.bjx.com.cn/news/20111201/326931.shtml 2011-12-01三菱材料开发出了用于薄膜硅型太阳能电池电极的Ag(银)纳米墨、ITO(氧化铟锡)纳米墨及SiO2墨。这些墨系将纳米颗粒分散到墨中制成,涂布在薄膜硅型太阳能电池的Si层上后,可以形成名为背面电极的亚微米级厚度的薄膜。其光电转换效率可与原来的真空成膜相当。薄膜硅型太阳能电池的优点有:硅用量可减至结晶硅型的1/100左右、能量偿付期(所发电力达到制造该产品所需电力的运行时间)短、与化合物半导体型太阳能电池相比不容易受Te(碲)等原料用量的限制等。不过,对太阳能电池厂商而言,引进多种真空成膜装置的初期投资成本高是一个很大的问题,需要通过转变成涂布成膜工艺来大幅...
https://guangfu.bjx.com.cn/news/20111130/326706.shtml 2011-11-30新闻排行榜
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