来源：PV-Tech2013-07-01

据materials views china网站介绍，将特定导电薄膜转移至硅表面即可获得肖特基光伏电池。...当光照射到此类电池器件上时，光生电子空穴对会在导电薄膜与硅之间所形成的结区(也称肖特基结)得以分离而实现光电转换。

来源：互联网2011-11-11

对阻塞二极管的要求是工作电流必须大于方阵的最大输出电流，反向耐压要高于蓄电池组的电压。在方阵工作时，阻塞二极管两端有一定的电压降，对硅二极管通常为0.6v～0.8v；肖特基或锗管0.3v左右。