来源：北极星太阳能光伏网2021-04-07

据企查查资料显示，此次上拍的湖州长兴汉能，主营太阳能光伏电池及电池组件研发、销售，非晶硅锗三结薄膜太阳能电池生产，货物、技术进出口，是汉能系在全国的众多基地之一。

来源：河北省工业和信息化厅2021-03-30

包括：多晶硅、单晶硅、硅棒、硅锭、硅片、电池、电池组件、逆变器；电子浆料、玻璃、坩埚、铸锭炉、多线切割机、高端层压机等配套辅料和光伏专用设备；单、多晶，以及薄膜、钙钛矿、异质结等新型高效太阳能电池及组件...超特高压输变电成套设备，智能电网关键设备、超导限流器、超导变压器、超导电缆、储能设备及专用生产装备、±1100kv特高压直流输电控制保护设备、分布式电源和微网控制、保护及接入装置、海洋工程用电缆及生产设备，非晶硅合金新型节能变压器

来源：钧石能源2021-02-08

预计后续进一步在材料上的创新可以降低耗银至100mg且无需专门开发匹配组件技术；第二，非晶硅薄膜的透光性能进一步提升，可以提升效率0.2%以上；第三，新型磁控溅射tco材料的采用和量产设备上多叠层透明导电薄膜的设计

来源：集邦新能源网2021-02-02

在perc中用来沉积sinx薄膜与钝化alox薄膜，在topcon中用来钝化氧化硅薄膜与沉积本征多晶硅薄膜，在hjt中用来沉积非晶硅薄膜，因为沉积的薄膜不同，设备的构成、镀膜速度、投入等存在巨大差别。

来源：集邦新能源网2021-01-12

低温银浆、靶材在浆料成本中占比较高清洗制绒环节和非晶硅沉积环节材料成本较低。...非晶硅沉积环节，射频化学气相沉积（pecvd 工艺的一种）的材料成本约 0.03~0.04 元/片。

来源：贝哲斯咨询 Market Monitor2021-01-11

hit生产线核心设备有望近期实现国产化：hit的4大工艺步骤“制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、tco制备、电

来源：集邦新能源网2020-12-22

制绒清洗环节，捷佳伟创已开发出用于 hjt 的制绒清洗设备；非晶硅沉积环节设备国产化程度相对较低，但理想能源、苏州迈为、讯立光电、精曜科技、钧石等国产厂商通过自主研发已实现这一环节设备的成功开发，正稳步推进薄膜沉积设备的国产化

来源：未来智库2020-11-06

hjt 特殊的晶硅/非晶硅界面态钝化结构对工艺、设备、生产环境、操作水平、材料配套等提出了更加严苛的要求， hjt 尽管工艺步骤简单，但敏感度高，薄膜厚度、压力、真空度、洁净度、流量气体的通过、沉积速率

来源：微锂电2020-09-11

科学家们用强脉冲光（ipl）处理代替了通常使用的热退火，这是一种对各种薄膜进行快速热加工的廉价的卷对卷技术。...然而，强脉冲光（ipl）受到敏感非晶硅异质结结构的温度约束。根据研究人员的说法，该技术更实际的应用是在晶圆的两面都应用了耐温度的多硅基隧道氧化物钝化触点。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2020-08-24

gw异质结量产设备，专为最低运营成本而设计异质结工艺制程较短，共分为制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、tco制备、电极制备四个步骤，主要生产设备有清洗制绒机、pecvd、rpd/pvd以及丝网印刷机。

来源：老成之见2020-08-17

hjt电池设备与现有主流工艺设备不兼容：hjt电池各步工艺分别对应清洗制绒设备、非晶硅薄膜沉积设备、tco膜沉积设备、金属化设备等各个主工艺设备，其中非晶硅薄膜沉积设备与tco膜沉积设备不应用于现有主流单晶

来源：财联社2020-07-31

公开资料显示，异质结电池（hit/hjt）是一种可以低成本实现的高效晶体硅太阳能电池，该电池是以高寿命的n型硅为衬底，在经过制绒清洗的硅片正面依次沉积本征非晶硅薄膜、p型非晶硅薄膜，从而形成p-n异质结

来源：贝哲斯咨询2020-07-30

总的来说，hit电池指晶体硅异质结太阳电池，是采用hit结构的硅太阳能电池，所谓hit结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后

来源：贺利氏可再生能源2020-07-10

或离位）掺杂形成多晶硅，由于lpcvd沉积过程会带来绕镀问题，使电池性能退化，因此可选择离位掺杂，即lpcvd形成本征多晶后再进行扩散或离子注入掺杂，形成重掺杂的多晶硅；另一种是使用pecvd沉积掺杂非晶硅或微晶硅层

来源：未来智库2020-07-01

hit 电池的开路电压可以达到 740mv 以上，主要原因是：1）硅片表面的晶体结构具有不连续性，悬挂键密度高导致缺陷密度大，非晶硅层通过降低表面悬挂键的密度实现优良的界面钝化；2）hit 电池在单晶硅衬底和掺杂非晶硅薄膜之间插入了一层较薄的本征非晶硅薄膜

来源：北极星太阳能光伏网(独家)2020-06-27

设备企业提前卡位 国产化进程加快异质结的工艺制程共分制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、tco制备、电极制备四个步骤，所涉及的主要设备为清洗制绒机、pecvd、rpd/pvd以及丝网印刷机。...迈为在异质结的布局从丝网印刷设备拓展至薄膜沉积环节，并积极布局包括清洗设备、cvd设备、pvd设备、丝网印刷设备在内的hjt整线解决方案。

来源：新能源沙龙 中信建投2020-06-17

异质结电池结构中，p型非晶硅薄膜拥有更宽的禁带宽度，导致了更高的开路电压。voc与内建电场的电势差vd正相关。内建电场越强，光生载流子能更有效地分离，载流子复合越小。...p型异质结电池中的n型非晶硅、n型异质结电池中的p型非晶硅的禁带宽度均为1.7-1.9 ev。

来源：电新产业研究2020-06-15

hit电池以 n 型单晶硅片作衬底，正反面依次沉积本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、金属氧化物导电层tco，再通过丝网印刷制作正负电极，呈双面对称结构。

来源：财联社2020-06-08

hit中文名为异质结电池，全称为“晶体硅异质结太阳能电池”，是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜。今年以来，作为光伏行业看好的新电池技术，hit电池成为资本市场热炒对象，不少涉及的光伏上市公司股价纷纷上涨。

来源：招商证券 雪球2020-06-01

hit电池以 n 型单晶硅片作衬底，正反面依次沉积本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、金属氧化物导电层tco，再通过丝网印刷制作正负电极，呈双面对称结构。