来源：北极星太阳能光伏网2021-11-29

设备采购：光伏组件、光伏组件支架、逆变器、单晶硅、薄膜及所有变配电设备、全站电力电缆、控制电缆和光缆及所有材料采购；工程施工：光伏电站相关的所有土建及设备安装工程施工；工程由组件支架施工和

来源：北极星太阳能光伏网（整理）2021-11-04

主要产品：光伏设备、硅料、多晶硅、硅棒/锭、晶硅切片、电池、导电银浆、超薄晶硅薄膜、组件及辅助材料，风机关键零部件、光热设备、逆变器、储能设备、充电桩、智能变压器、氢能制备应用、新能源技术服务等。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2021-09-23

据悉，hjt电池技术的优势在于工艺制程短，仅制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、tco制备、电极制备四个步骤，但最大制约在于产线设备须全新投入，此前异质结电池进口设备约为8~10亿元/gw，2022年gw设备投资有望降至

来源：SOLARZOOM光储亿家2021-06-28

近日，首台由金辰自主研发的异质结hjt太阳能电池pecvd非晶硅薄膜设备运抵晋能科技，正式开启了双方就进一步研究开发“基于异质结hjt太阳能电池新型pecvd的非晶硅薄膜工艺及电池技术”的联合战略合作。

来源：北极星太阳能光伏网2021-04-28

该设备是hjt电池片生产线的核心工艺设备，用于制备p型非晶硅、n型非晶硅和本征非晶硅薄膜。

来源：北极星太阳能光伏网2021-04-07

该设备是hjt电池片生产线的核心工艺设备，用于制备p型非晶硅、n型非晶硅和本征非晶硅薄膜。

来源：钧石能源2021-02-08

预计后续进一步在材料上的创新可以降低耗银至100mg且无需专门开发匹配组件技术；第二，非晶硅薄膜的透光性能进一步提升，可以提升效率0.2%以上；第三，新型磁控溅射tco材料的采用和量产设备上多叠层透明导电薄膜的设计

来源：集邦新能源网2021-02-02

在perc中用来沉积sinx薄膜与钝化alox薄膜，在topcon中用来钝化氧化硅薄膜与沉积本征多晶硅薄膜，在hjt中用来沉积非晶硅薄膜，因为沉积的薄膜不同，设备的构成、镀膜速度、投入等存在巨大差别。

来源：贝哲斯咨询 Market Monitor2021-01-11

hit生产线核心设备有望近期实现国产化：hit的4大工艺步骤“制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、tco制备、电...光伏设备环节：从上游的多晶硅料开始，到光伏组件，对应核心的设备分别为多晶硅还原炉、单晶硅直拉炉、切片机/截断机、电池片设备、组件自动化设备。

来源：雪球2020-09-03

事实是这几种光伏技术都是同时代发展起来的技术，无论单晶硅，多晶硅，薄膜，甚至砷化镓等多种光伏线路都是同时贯穿整个光伏发展历史的，到了今天，不是那种技术对另一种技术产生了迭代发展，而是最终市场选择了一条能够实现平价上网的技术路线

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2020-08-24

gw异质结量产设备，专为最低运营成本而设计异质结工艺制程较短，共分为制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、tco制备、电极制备四个步骤，主要生产设备有清洗制绒机、pecvd、rpd/pvd以及丝网印刷机。

来源：老成之见2020-08-17

hjt电池设备与现有主流工艺设备不兼容：hjt电池各步工艺分别对应清洗制绒设备、非晶硅薄膜沉积设备、tco膜沉积设备、金属化设备等各个主工艺设备，其中非晶硅薄膜沉积设备与tco膜沉积设备不应用于现有主流单晶

来源：贝哲斯咨询2020-07-30

总的来说，hit电池指晶体硅异质结太阳电池，是采用hit结构的硅太阳能电池，所谓hit结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后

来源：笨说能源2020-07-29

、薄膜、钙钛矿系为主的太阳能光伏转换效率不超过30%。...、输配、以及转换利用三个环节，效率最低的出现在转换利用环节，比如目前最高效的超超临界燃煤机组的热电转换效率在45%左右；主流的量产汽油内燃机效率在30%左右，少数采用增压技术的发动机可以达到40%；以晶硅

来源：北极星太阳能光伏网(独家)2020-06-27

设备企业提前卡位 国产化进程加快异质结的工艺制程共分制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、tco制备、电极制备四个步骤，所涉及的主要设备为清洗制绒机、pecvd、rpd/pvd以及丝网印刷机。...迈为在异质结的布局从丝网印刷设备拓展至薄膜沉积环节，并积极布局包括清洗设备、cvd设备、pvd设备、丝网印刷设备在内的hjt整线解决方案。

来源：新能源沙龙 中信建投2020-06-17

异质结电池结构中，p型非晶硅薄膜拥有更宽的禁带宽度，导致了更高的开路电压。voc与内建电场的电势差vd正相关。内建电场越强，光生载流子能更有效地分离，载流子复合越小。...晶硅晶硅同质结电池中，p型和n型单晶硅的禁带宽度为1.12 ev，此为其内建电场强度上限。p型异质结电池中的n型非晶硅、n型异质结电池中的p型非晶硅的禁带宽度均为1.7-1.9 ev。

来源：电新产业研究2020-06-15

hit电池以 n 型单晶硅片作衬底，正反面依次沉积本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、金属氧化物导电层tco，再通过丝网印刷制作正负电极，呈双面对称结构。

来源：招商证券 雪球2020-06-01

hit电池以 n 型单晶硅片作衬底，正反面依次沉积本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、金属氧化物导电层tco，再通过丝网印刷制作正负电极，呈双面对称结构。

来源：光伏测试网2020-05-27

hjt电池采用硅基薄膜工艺形成p-n结发射区，制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成温度(200℃)，避免了传统晶体硅电池形成p-n结的高温(950℃)。可以降低能耗、减少对硅片的热损 伤。

来源：前瞻产业研究院2020-05-20

cdte电池快速产业化，将市场份额再度推升至15%以上，随后由于多晶硅价格的崩盘大幅降低晶硅电池成本，近年来薄膜电池的份额再度萎缩。...cdte薄膜太阳电池产量大幅增长 前景最好cdte薄膜太阳电池市场份额远低于晶硅电池，尤其是2012年以来，由于晶硅电池成本大幅下降，以first solar为首的薄膜电池企业控制扩产速度，出货量增速趋于停滞