来源：北极星太阳能光伏网2011-10-08

逆变器中的升压开关有两个选择：igbt或mosfet。对于需要600v以上额定开关电压的输入级，常常会采用1200vigbt快速开关，如fgl40n120and。...mosfet虽然内置有体二极管，但相比igbt中采用的组合封装二极管，其开关性能很差。新型的场截止igbt能够以10v/ns的速度转换电压，较之以往的旧式产品导通损耗大大改善。

来源：电子元件技术2011-09-29

在图1中，q1和q3被指定为高压侧igbt，q2和q4则是低压侧igbt。该逆变器...发展逆变器技术是太阳能应用提出的要求，本文介绍了太阳能逆变器的原理及架构，着重介绍了igbt和mosfet技术，实现智能控制是发展太阳能光伏逆变器技术的关键。

来源：全球光伏网2011-09-27

cpssc20ktl-o采用专利的三电平技术、igbt和mosfet并联技术,使效率在全范围内达到最大化,并具备高可靠全数字控制技术、两路最大功率跟踪、以及先进热设计、智能风扇调速等特点,各项指标均高于业界平均水平

来源：新电子2011-09-26

igbt技术演进日趋成熟igbt与n通道(n-ch)型mosfet不同处在于，n-ch型mosfet的基板极性为n；而igbt的基板极性为p。...由igbt的构造图可看出，igbt是由n-ch型的mosfe与pnp型双极面结型晶体管(bipolarjunctiontransistor,bjt)组合而成。

来源：中国节能环保集团公司2011-09-16

太阳能光伏并网发电逆变电源系统项目采用先进的最大功率跟踪(mppt)控制技术、igbt和mosfet并联技术、单周期控制技术、并网控制技术等，具有电网侧高功率因数正弦波电流、无谐波污染供电等特点，大大提高了产品的效率及可靠性

来源：电子工程世界2011-09-08

如图五所示，这种igbt比以往的平面式igbt提供较低的总功耗。因此，为了让太阳能逆变器的设计能够达到最高效率，槽栅igbt是高压侧igbt的首选元件。低压侧igbt低压侧igbt同样有同一问题。

来源：电子工程世界2011-09-08

在图1中，q1和q3被指定为高压侧igbt，q2和q4则是低压侧igbt。该逆变器用于在其目标市场的频率和电压条件下，产生单相位正弦电压波形。...自励逆变器不需要外部交流电压源，整流电压由逆变器的一部分储能元件（比如电容）来提供或者通过增加待关断整流阀（像mosfet或igbt）的电阻值来实现。输出电压被脉冲调制的自励逆变器被称为脉冲逆变器。

来源：价值人生网2011-09-01

大尺寸区融单晶硅是生产功率器件普通晶闸管(scr)、电力晶体管gtr、gto以及新型电力电子器件-mosfet、igbt以及功率集成电路(pic)等的必须基础材料。

来源：中国新能源网2011-08-19

设计采用先进的最大功率跟踪技术mppt、dsp全数字化控制及先进的第四代igbt模块，使之产品可靠性强、性能优异；5、完善的保护功能，友好的监控界面。

来源：山亿新能源股份有限公司2011-08-17

，山亿新能源此次为黄河上游水电提供的solarocean500tl大功率光伏并网逆变器，拥有世界一流的质量保证，产品先后获得ce、iso、tuv、中国金太阳等多项权威认证，拥有尖端的技术特点：使用高效igbt

来源：申银万国证券2011-08-10

mosfet生产线的扩产计划延后,而igbt业务近期刚实现了消费电子领域的量产,所以短期内业务增长慢,不过2012年值得注意。维持增持评级。

来源：搜狐IT2011-06-15

从功率分立器件来看，随着太阳能并网发电站规模的增大，采用1200v igbt将是未来的发展趋势。针对各种不同规格的逆变器的需求，igbt模块呈现集成度越来越高的发展趋势。...随着高能效的功率变换技术不断引入，新一代的igbt、超级结mosfet和碳化硅二极管的使用，使得效率的标杆不断被刷新。

来源：北极星电力新闻网2011-05-16

采用高效率的igbt功率器件，先进的mppt自动跟踪技术，并且运用多种语言的lcd显示功能，方便用户选择。so系列机型在防护上面具有过压、孤岛、短路、过载、过热等完善的保护功能。

来源：北极星电力新闻网2011-05-12

采用高效率的igbt功率器件，先进的mppt自动跟踪技术，并且运用多种语言的lcd显示功能，方便用户选择。so系列机型在防护上面具有过压、孤岛、短路、过载、过热等完善的保护功能。

来源：电源门户网2011-04-04

25%以上，这引发了产业对igbt器件的关注，在慕尼黑上海电子展上，除了一些外国半导体公司展示igbt产品，本土企业如byd、江苏宏微、嘉兴斯达半导体等都展示了自己的igbt产品，而且其产品种类和规模都超过了国外半导体公司

来源：互联网2011-04-04

由于传导损耗则在总体系统损耗方面占据主导地位，新型mos 8 igbt已经针对低工作频率(10 khz — 30 khz)而优化。...mos 8 pt igbt产品系列则在2.0 v (600 vbr(ces)) 和2.5 v (900 vbr(ces))下提供低传导损耗特性。

来源：和讯网2011-03-17

对igbt的供货影响有限。近年来,电力电子行业快速发展对igbt的需求量也在逐年上升,由于国内igbt行业发展较慢,国内需求仍以进口为主。...目前igbt供应主要控制在英飞凌、仙童、三菱、abb、富士等外资巨头手中,其中,日本厂商富士电机和三菱的生产厂分布在东南亚和日本,除了富士电机在仙台地区有个工厂外,其余日本地区工厂离震灾区域较远,预计其供货情况影响有限

来源：广发证券2011-03-03

以下买入持有) 6、大族激光----建议投资者20 元以下买入，关注公司后续在光伏设备方面的投入和扩展 7、南玻a------看好南玻集团在垂直整合方面的能力(20 以下增持) 8、中环股份----单晶硅片+igbt

来源：新浪2011-02-23

募集资金项目中，除了igbt及光电子器件用区熔单晶硅材料的研发和产业化项目和绿色可再生能源太阳能电池用单晶硅材料产业化工程二期项目以外，新增了绿色可再生能源太阳能电池用单晶硅材料产业化工程二期扩能项目。

来源：中国电子报2011-02-17

我国应重点发展具有电子信息技术制高点的极大规模集成电路制造关键设备(包括芯片制造设备和封装设备)，积极发展太阳能光伏装备、led制造设备和lcd制造设备，有选择地发展与物联网紧密相关的mems制造设备和高铁需要的igbt