来源：价值人生网2011-09-01

大尺寸区融单晶硅是生产功率器件普通晶闸管(scr)、电力晶体管gtr、gto以及新型电力电子器件-mosfet、igbt以及功率集成电路(pic)等的必须基础材料。

来源：中国新能源网2011-08-19

设计采用先进的最大功率跟踪技术mppt、dsp全数字化控制及先进的第四代igbt模块，使之产品可靠性强、性能优异；5、完善的保护功能，友好的监控界面。

来源：山亿新能源股份有限公司2011-08-17

，山亿新能源此次为黄河上游水电提供的solarocean500tl大功率光伏并网逆变器，拥有世界一流的质量保证，产品先后获得ce、iso、tuv、中国金太阳等多项权威认证，拥有尖端的技术特点：使用高效igbt

来源：申银万国证券2011-08-10

mosfet生产线的扩产计划延后,而igbt业务近期刚实现了消费电子领域的量产,所以短期内业务增长慢,不过2012年值得注意。维持增持评级。

来源：搜狐IT2011-06-15

从功率分立器件来看，随着太阳能并网发电站规模的增大，采用1200v igbt将是未来的发展趋势。针对各种不同规格的逆变器的需求，igbt模块呈现集成度越来越高的发展趋势。...随着高能效的功率变换技术不断引入，新一代的igbt、超级结mosfet和碳化硅二极管的使用，使得效率的标杆不断被刷新。

来源：北极星电力新闻网2011-05-16

采用高效率的igbt功率器件，先进的mppt自动跟踪技术，并且运用多种语言的lcd显示功能，方便用户选择。so系列机型在防护上面具有过压、孤岛、短路、过载、过热等完善的保护功能。

来源：北极星电力新闻网2011-05-12

采用高效率的igbt功率器件，先进的mppt自动跟踪技术，并且运用多种语言的lcd显示功能，方便用户选择。so系列机型在防护上面具有过压、孤岛、短路、过载、过热等完善的保护功能。

来源：电源门户网2011-04-04

25%以上，这引发了产业对igbt器件的关注，在慕尼黑上海电子展上，除了一些外国半导体公司展示igbt产品，本土企业如byd、江苏宏微、嘉兴斯达半导体等都展示了自己的igbt产品，而且其产品种类和规模都超过了国外半导体公司

来源：互联网2011-04-04

由于传导损耗则在总体系统损耗方面占据主导地位，新型mos 8 igbt已经针对低工作频率(10 khz — 30 khz)而优化。...mos 8 pt igbt产品系列则在2.0 v (600 vbr(ces)) 和2.5 v (900 vbr(ces))下提供低传导损耗特性。

来源：和讯网2011-03-17

对igbt的供货影响有限。近年来,电力电子行业快速发展对igbt的需求量也在逐年上升,由于国内igbt行业发展较慢,国内需求仍以进口为主。...目前igbt供应主要控制在英飞凌、仙童、三菱、abb、富士等外资巨头手中,其中,日本厂商富士电机和三菱的生产厂分布在东南亚和日本,除了富士电机在仙台地区有个工厂外,其余日本地区工厂离震灾区域较远,预计其供货情况影响有限

来源：广发证券2011-03-03

以下买入持有) 6、大族激光----建议投资者20 元以下买入，关注公司后续在光伏设备方面的投入和扩展 7、南玻a------看好南玻集团在垂直整合方面的能力(20 以下增持) 8、中环股份----单晶硅片+igbt

来源：新浪2011-02-23

募集资金项目中，除了igbt及光电子器件用区熔单晶硅材料的研发和产业化项目和绿色可再生能源太阳能电池用单晶硅材料产业化工程二期项目以外，新增了绿色可再生能源太阳能电池用单晶硅材料产业化工程二期扩能项目。

来源：中国电子报2011-02-17

我国应重点发展具有电子信息技术制高点的极大规模集成电路制造关键设备(包括芯片制造设备和封装设备)，积极发展太阳能光伏装备、led制造设备和lcd制造设备，有选择地发展与物联网紧密相关的mems制造设备和高铁需要的igbt

来源：中国证劵报2011-01-26

中环股份(002129)日前披露，将利用部分募集资金投入igbt及光电子器件用区熔单晶硅材料的研发和产业化项目。 除了自身“埋头”研发之外，还有不少企业借用“他山之石”。

来源：中国证劵报2011-01-19

中环股份(002129)日前披露，将利用部分募集资金投入igbt及光电子器件用区熔单晶硅材料的研发和产业化项目。 除了自身“埋头”研发之外，还有不少企业借用“他山之石”。

来源：滨海时报2011-01-14

值得关注的，中环股份2011年非公开发行股票募集资金主要用于以下项目：公司全资子公司天津市环欧半导体材料技术有限公司的“igbt及光电子器件用区熔单晶硅材料的研发和产业化项目”。

来源：北京晶川电子技术发展有限责任公司2010-12-22

封装两单元igbt；econopack4封装三电平igbt；中大功率primepacktm(采用igbt4的新封装)igbt；大功率igbt模块（ihm）；igbt模块功率组件（primestacktm

来源：中国电子报2010-07-05

可以举一个直观的例子来说明igbt的发展水平：如果把上世纪80年代双极型器件的损耗值设定为100的话，那么第1代igbt的损耗值为70，第5代igbt的损耗值为30，而现在第6代的igbt已经把损耗值降低到

来源：互联网2010-06-13

新一代的igbt、igbt模块、mosfet和碳化硅二极管的使用，使效率的标杆正在不断被刷新。”他说。　　　　...光伏发电系统市场的增长使逆变器、控制器的供应商如合肥阳光电源，以及功率器件mosfet、igbt的主要供应商如英飞凌、飞兆、赛米控等半导体公司直接受益。

2010-05-27

并由ｐｗｍ脉宽调制控制ｉｇｂｔ管的导通或截止。...逆变器的工作原理 １．全控型逆变器工作原理：图３所示，为通常使用的单相输出的全桥逆变主电路，图中，交流元件采用ｉｇｂｔ管ｑ１１、ｑ１２、ｑ１３、ｑ１４。