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表1 转换效率超过25%的单晶硅太阳电池
从上表中,我们可以看到转换效率超过25%的单晶硅太阳电池新技术原创国均来自于欧美日等发达国家和地区,国内大型公司在部分技术上亦有较多的研发投入,国内产业规模优势如此巨大的情况下,技术储备处于弱势方的中国企业能否在国际上无知识产权风险进行市场开发呢?笔者选取以下几种技术进行技术态势和知识产权趋势进行简单梳理,期望能够为国内光伏产业提供一些有用信息,以飨读者。
一、IBC电池
IBC电池(全背电极接触晶硅光伏电池)将PN结和金属接触都设于太阳电池的背部正负,而面朝太阳的电池片正面采用SiNx/SiOx双层减反钝化薄膜呈全黑色,完全看不到多数光伏电池正面呈现的金属线,能够最大限度地利用入射光,减少光学损失,更高的短路电流这为使用者带来更多有效发电面积,外观上也更加美观。
作为IBC电池产业化领导者的美国SunPower公司已经研发了三代IBC太阳电池。2014年在N型CZ硅片上制备的第三代IBC太阳电池的最高效率达到25.2%;而应用层选择性激光工艺来制造POLO-IBC电池,转换效率则可达到26.1%。天合光能公司一直致力于IBC单晶硅电池的研发,2018年2月自主研发的大面积6英寸(243.2cm2)N型单晶硅IBC电池效率被证实提高到25.04%。Sunpower的IBC量产平均效率可达23%。
图1 IBC 太阳电池结构示意图
在知识产权保护方面,Sunpower和三洋-松下一直是光伏公司的翘楚。以Sunpower的专利态势为例:
1、全球申请趋势
Sunpower在全球一直在保持着持续的大量上升趋势,在2012年前后申请量持续增加,且其专利申请技术门类以H01L分类号下的太阳电池申请量为主,约占50%,还有大量关于H02S分类号下与光伏电站后端应应用相关申请、 H02J分类号下与储能、并网相关的技术的专利申请,以及其他分类号有关产业链上下游配套技术的专利申请。
图2 全球申请技术趋势图
图3 全球申请技术分布
Sunpower公司专利申请以美国为主,但是其专利申请在日本、韩国、中国、中国台湾、澳大利亚、欧专局国家等均有较大量的同族申请,其全球布局态势极其明显,涵盖了电池之后所有产业链条中下游的技术节点。
2、专利申请技术分布
Sunpower按照聚类主题的申请量来看,各主要主题下数量较大,电池、组件、阵列、并网系统,关键技术节点的发射极制作、新技术电池、光活性材料等大的细分技术布局较多。收购COGENRA 公司后叠瓦电池的基础专利申请和后续配套专利申请均大量展开,且以高达47个同族数的方式进行各个国家布局,其对新技术的专利扩张力度极强,对重点原创技术的保护力度极其强大。
图4 Sunpower公开专利聚类主题专利数
图5 Sunpower专利不同技术点分布图(包括关联单位)
紫色标注为合享高价值专利标记(大量)
3、IBC电池方面的专利
Sunpower公司分析了25%效率的IBC电池后发现,电池效率的主要损失在发射极复合和背部光学损失。针对IBC电池技术的发射极损失,Sunpower公司在背面制结和背部的图案化方面进行了大量的专利技术布局,且诸多的专利均在中美日欧等国家和地区进行同族申请,尽可能在大的市场范围内保护其技术。而国内光伏公司在新技术开发专利布局方面则有诸多畏首畏尾的情形出现,以致于新技术的开发保护在法律层面上来看并未有大的进展。
图6 Sunpower公司IBC电池专利的重点技术点
二、HIT电池
异质结(hetero-junction with intrinsic thin-layer, HIT)太阳能电池是日本三洋公司1997年推出的一种商业化的高效电池设计和制造方法。异质结电池具有能量转换效率高、简单的低温制造工艺、薄硅片应用、温度系数和CTM低、可双面发电等一系列优势。经过Sanyo-Panasonic公司对本征a-Si∶H钝化层、背部场结构、高电导高透ITO、陷光结构、金属化栅线等关键技术的不断优化,在2013年将SHJ太阳电池效率提高到24.7%,在2014年将IBC技术与HIT技术结合,研发出的HIT-IBC太阳电池最高效率达25.6%。在国内,杭州赛昂的SHJ电池转换效率达到23.1%,中科院上海微系统与信息技术研究所N-CZ硅片制备的SHJ电池取得23.5%的效率。
异质结电池实现低成本量产的关键在于设备国产化、提高良率和产能以及降低硅片、低温银浆、TCO靶材和清洗制绒化学品等成本。日本松下、上澎、晋能、福建金石和中智电力等已实现异质结电池量产。2018年,通威、爱康、彩虹等企业纷纷开建异质结电池产能,且均规划了GW级产能布局,热度可见一斑。国内厂商于2018年上马诸多HJT电池厂能,一个重要原因是Sanyo的HIT电池基础结构专利在2018年失去保护,他们将可以使用HIT电池结构和相应技术。
图7 HJT产商规模
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