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今后大家正在努力的方向是什么呢?希望用这种方法能够做出100%的单晶,哪怕做成90%也可以降低成本,目前研究已经证明,我们在时间上大概可以做到90-95%。仅仅是四个角上有一点点,还有多晶存在,但是重复性控制还不是太好。因此,单晶硅的控制依然是我们一个挑战。
国际上现在提出了两种方法,一种方法是用一个籽晶,一个籽晶从中间开始,然后慢慢放大,这样的一个籽晶造成了单晶能够做到100%,这是理论发表的,但实际上没有做成功。
第二种技术我们称为功能精件的方法,左边这个图是用籽晶,籽晶长了一半的时候,从边缘就有其他的多晶体进来了。我们现在这个方法在边缘放一个特殊的晶件,这个往上走了以后,会控制边缘的晶体长进来,从而使得里面成为单晶,外面一点点是多晶,这个多晶又可以切掉的。
这个技术最早是日本人提出来的,最近我们和企业进行合作,已经把它做到产业化应用了,你可以看到这个是实际的籽晶,边缘铺了一层特殊的东西,左边是单晶,右边是多晶。通过这样的技术以后,我们可以把多晶限制在边缘,从而使得里面得到大面积的单晶的工作。
第三个存在的问题就是材料的利用率,刚才给大家讲过,就是从纵向延开的照片,四周特别是上边跟下边有红色的地方,红色的地方就意味着材料质量不好,在实际生长当中这一块要给切掉的。我们的多晶硅底部红边区可以达到5个厘米,这个切掉比较多,实际得到中间灰色的区域,我们就称为有效的单晶率,只有60%不到一点点。
因此,如果提高这一部分的比例达到70%,也是我们现在材料研究的一个重点,关键的是底部红色的那来的?我们做了一些研究,这个边上是籽晶的,跟铁扎制的含量是分布一致的。
左边这张图是模拟的结果,右边这张图是实验的结果,我们的工作跟实际对比,这部分主要是金属扎制所造成的,因此控制金属扎制铁对减少红边区,提高材料的利用率是一个重要的发展方向。
最后一个很重要的问题,这个位错有两种,一种是分散的位错,一种是位错团,这样的缺陷会造成少籽生命低,电磁的效率降低。我们首先看分散的位错,这个位错左边是多晶,右边只有位错,一个黑点,代表了一个位错,表示了晶体的缺陷。
这样从底部到头部密度是逐渐增加的,底部只有10的14次方,头部达到了10的5次方,这样会有什么样结果呢?我们随着位错密度的增加,少籽逐渐降低,同时所有的条件不变,做了太阳能电池效率就降低了0.5%,所以说单个位错对效率的影响非常明显。
还有一个问题,从底部到头部做了太阳能电池分散性比较差,这也是铸造单晶,目前遇到的一个困难,这个是物理的原因,为什么产生这样的位错,我就不给大家细讲了。
第二个晶界,看到从铸造图的时候,从籽晶出发朝上面跑的是三角形的区域,这个区域会导致效率比较低,看到是黄色的,这样腐蚀以后,有大量的缺陷,我们称为位错的出现,这是因为什么呢?在两个籽晶夹缝之间产生了位错,这个位错会沿着特定的面进行生长,长成了三角形的区域。这个是比较讨厌的,一旦做到太阳能电池以后,整个硅片到后面全部变黑了,效率就非常低了,太阳能电池效率就比较差。
这个是另外的图,我们把它横向了以后,在边缘区里有大量的位错团的出现,即使做了太阳能电池,边缘的这些位错也不能消除,太阳能电池效率依然是比较低的。
一个简单的比较,第一个是铸造单晶,是位错比较小的,它和最底下的单晶相比可以增加1%的效率。但是如果位错团比较多,中间那个,效率甚至比普通的铸造多晶还要低。因此就说明什么了?如果不控制好位错质量,质量反而比普通的铸造多晶低,所以位错的控制对他非常重要。
我们提出一个新的技术,这是一个界面图铸造单晶,什么都不做中间有一个三角形的缺陷,从底部到上面快速生长的过程,也是一个三角形的,从底到上面的增加。
我们提出一个方法,故意在中间增加了一个晶界,会把缺陷给吸收了,就是以毒攻毒,故意加了一个缺陷,吸收了缺陷。你可以看到中间我们故意加了一个晶界,底下的你看到有一个晶界很直的,但是位错没有了。
再看最后的少籽生命图,三角形的低少籽区已经消除了,这个可以通过引入晶界控制这样缺陷团的产生,导致少寿命大幅度的提高。这是两个对比情况,上面是普通的,底下是故意引入晶界的一种情况。
晶界有整个性能得到了改善,普通的只有16.5、17.5,加入引用晶界增加18.1,甚至东西都没变,可以引入制造单晶效率0.6%。
最后给大家做一个简要的总结,到目前铸造单晶是太阳能硅材料发展重要方向,但是面临位错密度、单晶率、材料利用率和籽晶成本的问题挑战,其中位错是关键的因素,而我们提出的机械工程,可以有效的降低位错,能力晶界。我们希望这样的技术在今后1-2年在工业界重新开始大规模的应用。
在结束之前,我要谢谢博士生和合作者,对上面的一些工作他们给了很多的帮助。也要谢谢国家自然科学基金委的支持我们才能做研究。最后,谢谢各位的聆听。
(一起光伏APP根据现场速记发布,未经嘉宾审阅)
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