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气冷技术与目前现有相比拥有自己独特的优势,将先前依靠移动隔热笼的被动DS块辐射降温的弱控制模式改为DS块底部主动气体降温的强控制模式,使得晶体生长可控性更强。通过中空的DS块、气体冷却器、泵组、变频器等组成可控气体流量的闭合气路,以流动气体对DS块进行直接冷却,并通过DS台上的温度反馈调节泵组电机速度来控制冷却气体流量,从而实现精确的DS台温度控制。
具有气体温度、流量流量范围宽,调节精度高,且功耗低等优点。从而使硅锭生长的界面更加平稳,提高电池的转化效率。
2、铸锭工艺的优化
通过对热场温度的优化以及晶粒的细化,使晶体在初期的成核得到控制,在结晶过程中具有稳定的结晶速度和过冷度,从而提高了硅晶体的少子寿命,降低了硅晶体的内部缺陷,提高了多晶硅电池效率。
2.1大晶粒的制备
大晶粒学名成为准单晶(Monolike)是基于多晶铸锭的工艺,在长晶时通过部分使用单晶籽晶,获得外观和电性能均类似单晶的多晶硅片。这种通过铸锭的方式形成单晶硅的技术,其功耗只比普通多晶硅多5%,所生产的单晶硅的质量接近直拉单晶硅。简单地说,这种技术就是用多晶硅的成本,生产单晶硅的技术。准单晶产品的优势:转换效率高于普通多晶,接近直拉单晶电池片;与普通多晶电池片相比LID基本无变化,性能稳定;比起普通多晶,组件功率提升明显,单位成本降低;可封装265瓦(60片排布)大组件。
2.2调整热场结构,优化工艺
由于不同的温度梯度会导致不同的晶向产生,如果需要做到降低成核缺陷,需要清楚<100>的成核机理,经过查询,大于186度的温度梯度差,才能满足形成<100>晶向的温度要求。
通过改进工艺,调整热场结构,生长速度得以控制。改进后的多晶铸锭生长段配方后,晶体的生长速度更加趋于平稳,这样有利于杂质的均匀向上分凝。而与此同时保证界面的平稳性可以控制杂质的平稳析出。在控制界面水平则可以实现成核的一致性,及达到均匀晶粒的细化技术。对于整个生长过程,界面温度微凸是有利的,有利于杂质的向外排出,但太凸,会导致边缘16块受损严重。通过稳定热场,优化生长工艺,改进生长界面实现了降低缺陷密度,提高硅晶体少数载流子寿命的目的,最终达到了提高硅晶体电池效率的目标。
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