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过去几年的研究表明,存在于晶体硅光伏组件中的电路与其接地金属边框之间的高电压,会造成组件的光伏性能的持续衰减。
造成此类衰减的机理是多方面的,例如在上述高电压的作用下,组件电池的封装材料和组件上表面层及下表面层的材料中出现的离子迁移现象;电池中出现的热载流子现象;电荷的载分配削减了电池的活性层;相关的电路被腐蚀等等。这些引起衰减的机理被称之为电位诱发衰减(PotentialInducedDegradation,PID)、极性化、电解腐蚀和电化学腐蚀。
上述现象大多数最容易在潮湿的条件下发生,且其活跃程度与潮湿程度相关;同时组件表面被导电性、酸性、碱性以及带有离子的物体的污染程度,也与上述衰减现象发生有关。在实际的应用场合,晶体硅光伏组件的PID现象已经被观察到,基于其电池结构和其他构成组件的材料以及设计形式的不同,PID现象可能是在其电路与金属接地边框成正向电压偏置的条件下发生,也可能是成反向偏置的条件下发生。
相关文献阐述了电池经过封装材料(通常是EVA和玻璃的上表面)和组件边框所形成的路径所导致的漏电流被认为是引起PID现象的主要原因。
图1红线描述了漏电流的路径,而实践部分被认为是与PID现象有关的主要路径
到目前为止,漏电流形成的机理实际上还不是十分地清楚。总体而言,由封装材料对电池进行封装后所形成的绝缘系统对于上述漏电流而言是不完善的,同时推测来自于钠钙玻璃的金属离子是形成上述具有PID效应的漏电流的主要载流介质。
另据有关文献介绍,在实际的应用条件下,上午太阳初升后的一段时间内,往往是PID效应相对强烈的时段,原因是晶体硅光伏组件在经历了一个不发电的夜晚以后,其表面会有凝露现象发生(特别是夏、秋季节的露水),会造成光伏系统在早晨太阳初升后的一段时间内,在其表面较为潮湿的情况下,承受前面提及的系统偏置电压。
(作者贺建华)
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