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多晶硅太阳能电池的市场份额已远远超过单晶硅太阳能电池,成为光伏市场的主要产品。然而,与直拉单晶硅相比,多晶硅中存在着高密度的缺陷和杂质,如晶界、位错、氧碳和金属等。
一方面,作为位错、晶界和杂质最集中的微晶区域会显著影响材料的电学性能,并最终影响电池性能;
另一方面,由于多晶硅中各部分缺陷和杂质分布的不均匀性,造成单片多晶硅片性能上的明显差别,研究表明,其少子寿命最低区域对电池性能具有决定性的影响。
少子寿命分布对电池性能的影响
由于多晶硅片内部杂质和缺陷的不均匀性,其少子寿命分布也具有很大的不均匀性,而最终决定所做电池效率的是硅片少子寿命最小值。
我们选取一批硅片,每片测试五个点(边角四个点和中心一个点)的少子寿命(去损伤层后碘酒钝化),再按正常工艺做成电池测试其电池效率。
图1硅片少子寿命五点中最大值由小到大排列时,相应电池片的效率
图2硅片少子寿命五点平均值由小到大排列时,相应电池片的效率
图3硅片少子寿命五点中最小值由小到大排列时,相应电池片的效率
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