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控制型类单晶或全单晶铸锭:需引入籽晶,通过控制籽晶熔化、界面形状(平)、温度梯度(纵向)、位错密度(成核方向,温梯)、浓度分布等。实现全单晶或类单晶生产。大体可采用现有铸锭炉改型,或重新设计修正型Bridgman或修正型VGF(VerticalGradientFreeze-VGF)方法。这些技术已成功用于光学晶体生长和半导体晶体生长。
类单晶硅锭技术
类单晶硅片
Q-Cells高效组件
由60块多晶硅太阳能电池组成的太阳能组件的电力输出达283瓦。这项纪录由德国Fraunhofer太阳能系统研究所(FraunhoferISE)证实。据称是目前具有竞争性价格的准单晶硅组件中功率最高的组件。此前,Q-Cells单晶硅组件电力输出创造了287W的记录;大规模多晶硅光伏电池的效率也达到了19.5%。
类单晶硅锭技术的三个阶段
单晶率是一个重要指标,界面形状(平)、温度梯度(纵向)、位错密度(成核方向,温梯)、浓度分布都重要。类单晶铸锭可分为三个阶段:第一阶段平均效率17.2-3%(一类)最高达18.2%;第二阶段平均效率17.7%(一类)最高达18.7%,;第三阶段平均效率18.2%(一类)最高达19%。再利用高效电池技术,效率可达20%第一阶段,工艺像多晶工艺,用大纵向温度梯度(TC2温度低),较易控制化料保籽晶,强调单晶率。但横向和纵向应力大,导致位错密度大,顶部可见开花现象(从亚晶界变为晶界)。第二和三阶段,工艺像单晶工艺。界面较平,工艺追求低温度梯度,开口慢慢变大,TC1温度较低。保籽晶阶段和生长后期两阶段必须控制。保籽晶阶段关系到生长的基础,需低温度梯度,防止滑移线出现,关键减生长缺陷;生长后期,硅锭大部已形成,需降温度梯度,减少位错及亚晶界生长。关键减应力位错。冷却退火过程需改进,位错主要在生长过程出现,退火可能可以不做。
晶界一致性Coherence和梯度控制
类单晶拼缝处变多晶的原因是位错密度,这个观点与BP的SiC颗粒原理是不同的。这样需要减小剪应力。
1、需要切好和排好籽晶,临近籽晶需要同方向,方向角差越大,应力越大,越容易出多晶。
2、需要降热应力,这样需要界面平,同时可以降纵向温度梯度。即降TC1,升TC2。目前的工艺TC1温度高,TC2温度低。
特别是后段。可以在最后段开始升TC2,降TC1完成长晶。之后接上冷却段。
高效多晶和类单晶铸锭现状
1、略修改炉子和工艺,能达到16.8%多晶效率。如中美晶的A+片
2、一些好公司能做到17.2-17.3%的效率。如中美晶的A++片
3、类单晶平均效率:17%(边)或18.1%:酸(边)或碱制绒
为什么需要发展类单晶铸锭?
1、电池成本已降到组件成本的一半,提升效率可降组件,安装,服务的成本。成本已让位给效率。
2、单晶电池技术先进,较容易获得高效电池(如采用选择性发射等,效率可达18.5%以上,如中美晶的Uwafer)
存在的生产问题?
(1)籽晶(回收);(2)过程(时间);(3)可靠性/重复性;(4)效率分布;(5)边角片处理(G5:64%的片子是边角片;G6:20/36)
锭的效率提升问题
多晶电池的最大问题是高位错密度,同时相对于单晶电池工艺,电池技术比较落后。先进的电池技术如选择性发射和dielectricrearpassivation无法用于多晶电池。
一些厂家追求单晶率及低杂质,忽略了最根本的生长缺陷和位错密度,类单晶成功的重要技术问题包括:
1、单晶率–需热壁,用大温梯(抑制侧面成核)
2、杂质问题–大温梯(防过冷,但位错大)或化学方法
3、位错密度及亚晶界–需小温梯(纵向),平界面(横向)
4、侧面成核及杂质扩散–需用冷壁,恒定侧面纵向温梯
5、底部红区–需用低TC2(生长和应力缺陷大),不用闭笼冷却(等温差冷却)
6、籽晶回收
类单晶成本下降问题(用G6坩埚)
目前很多公司用G5多晶炉改造进行类单晶实验。一类片可能性只有36%,而这些片有料的问题,红区问题及亚晶界等问题,平均效率也不高(如顶部效率衰减)。这样可实现高效的片子只有25-34%。而70%的剩余片子有不同的问题,用目前电池线处理的话,效率应该低于高效多晶片。这样总平均效率可能不如高效多晶片。
类单晶硅片可在原多晶炉下制备(改变工艺),但效率提升和规模化生产技术门槛其实较高,很多公司能生产类单晶片,但并没掌握类单晶技术。(作者张辉)
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