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薄膜太阳能电池虽成本低廉,惟在商业应用方面受制于转换效率上限,应用多仅限于日照强度高且密集的地区,不过美国科学家已透过砷化镓(GaAs)材料,研发出最高转换效率达到28.4%的薄膜太阳能电池,其转换率不仅优于CIGS(硒化铜铟镓)薄膜太阳能的14%至19%,更进一步逼近单结(p-njunction)薄膜太阳能电池33.5%的物理极限。
据美国物理学家组织网(physorg.com)报导,过去,提升太阳能电池转换率的关键在于让电池吸收更多光子、并将之转换为电子提取出来,化为电能;不过新型的砷化镓薄膜太阳能电池,强调的是提取那些衰变电子发出的外部荧光,并进一步将之化为电能,两两加成下,可快速将实际光电转换率往物理极限推进。
在此技术基础下,未来用砷化镓制造的薄膜太阳能电池,将有机会一再刷新转换效率的实验记录。
薄膜太阳能电池因其使用的半导体材料较少,因此与晶粒型太阳能电池相比,具备相当的成本效益,惟也因其较低的转换效率,在日照度有限的地区难以大规模应用。新型的砷化镓薄膜太阳能电池,透过更佳的转换率,可望打破此一极限,若再配合聚光透镜,则其转换效率更可一口气拉高至30%以上,与高聚光型(HighConcentrationPhotovotaic,HCPV)芯片砷化镓太阳能电池转换率缺口可望缩小。
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