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产品名称:PECVD

联系人:销售部
手机: 暂无 电 话:0755-86161572

产品说明

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设备用途
 

等离子体增强化学气相淀积(简称PECVD),主要用途是在硅片表面淀积一层厚度约为75nm的减反射氮化硅膜(SixNy),同时利用在淀积过程中产生的活性H+离子,对硅片表面和内部进行钝化处理。在体现减少光反射的同时,也提高了硅片的少子寿命,最终直接体现在晶体硅电池的转换效率。该设备为国内唯一的第四代PECVD设备,综合性能媲美国际一流产品,其超越同行的实际成膜均匀性,大大减少了上代设备的色差现象,尤其适用于多晶电池片的工艺生产。

 

 

◆产品亮点
1、单管产能全球率先达到280片(125方片)

2、业内独有、领先的压控/温控技术,最成熟的工艺支持

3、国产设备中唯一可媲美世界一流设备的成膜均匀性和表面色差

4、设备有效工作时间较其他国产设备高5%以上

5、自动上下舟系统中国内唯一采用进口精密直线单元

 

 

 

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