北极星
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      来源:商务部2013-07-19

      被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆頢獓( cm);基硼电阻率2600欧姆頢獓( cm);碳浓度1.01016(at/cm3);n少数载流子寿命500s;施主杂质浓度0.3109;受主杂质浓度

      来源:中国电子报、电子信息产业网2013-07-19

      诚然,从公开披露的信息来看,目前国内量产效率最高的英利熊猫n单晶硅电池,其转换效率也只有19.5%,尚未达到20%的及格线。而多晶硅电池量产效率18%的要求,目前也只有一家企业能够做到。

      来源:北极星太阳能光伏网(独家)2013-07-15

      虽然在产能上能实现对成本与总体研发的把控,但英利集团也只能能对外宣布自主研发的第五代熊猫n单晶硅高效电池平均转换效率达到19.5%,显然与20%还有一定的距离。

      来源:EnergyTrend2013-07-15

      张屹认为,n单晶硅电池还需发展4~5年,才可望成为主流,除了屋顶发电应用,也有愈来愈多的电站投资案长达20~25年,更需要采用高效产品,目前n单晶硅电池的转换效率最高可达24.5%,为业界之最。

      来源:PV-Tech2013-06-28

      卡姆丹克太阳能集团董事长张屹表示,该工厂每年将生产1gw的n单晶太阳能硅片。n单晶硅片专门用于高效电池,sunpower等公司启用,sunpower在马来西亚拥有一家制造厂。

      来源:每经网2013-06-20

      记者明确指出,阳光电源是国内最大的光伏逆变器生产企业,公司正积极开展电站epc项目;中环股份主要生产n单晶硅片并拥有cfz硅片技术,公司与sunpower合作建设、占有40%权益的7.5gw高效率光伏电站将在

      来源:邢台新闻网2013-05-24

      在技术创新驱动下,晶龙集团掌握了多项世界光伏行业前沿技术,其中n高寿命单晶生长工艺专利、无衰减掺镓硅单晶技术和90微米钢线切割单晶工艺处于行业领先水平;156高效直角单晶组件产品,是目前业界采用p电池技术

      来源:Solarzoom2013-05-22

      光照以及测量时间的长短可以通过延迟脉冲的方式很容易的实现,该测试仪同样适用于n电池片。 botest测试装置在整个测量过程中具有最佳的稳定性。受光面积高度的均匀性体现于偏差超过电池片尺寸不到1%。

      来源:机电商报2013-05-21

      英利集团则以英利智造高效率、高可靠性、高品质的光伏组件及系统产品为主题亮相,重点展示其高效导电胶带n单晶光伏组件、高效n-mwt单晶光伏组件、高效轻质双玻n单晶双面发电光伏组件。

      来源:世纪新能源网2013-05-17

      那么,根据我们制定的方式不同,有多晶,t的cf,ncf,以及mcf。那么,他们各有各自的优点和缺点,而采用特殊器件的工艺,相对来说,也获得比较高的转换效率。

      来源:Solarzoom2013-05-14

      长期来看,n单晶硅片与那些基于高效电池工艺的增强单晶硅片有潜力降低组件每瓦的总成本,并且提高单晶硅片市场的增长速度。

      来源:世纪新能源网2013-05-13

      长期来看,n单晶矽片与那些基于高效电池制程的增强单晶矽片有潜力降低模组每瓦的总成本,并且提高单晶矽片市场的增长速度。

      来源:PV-Tech2013-05-10

      长期来看,n单晶硅片与那些基于高效电池工艺的增强单晶硅片有潜力降低组件每瓦的总成本,并且提高单晶硅片市场的增长速度。

      来源:世纪新能源网 2013-05-08

      吋单晶矽晶圆所制成的太阳能电池提升到20.2%以上的转换效率,亦即旭泓使用p单晶之成本可达到n单晶之发电量,运用于模组安装时,发电量耗损较小,将产出最高发电功率的模组,足以与国际大厂相媲美,并维持许多国际级大客户

      来源:赛迪网-中国电子报2013-05-08

      唯一可能的例外是超薄的n单晶片。因为n单晶片转换效率可达23%以上,如其能如预期进一步降低成本,则可能仍然具备对多晶硅片的竞争力。...光伏硅片生产技术的发展趋势表明,将来的硅片市场应该是高效多晶硅片和超薄n单晶片相互竞争的市场。成本和效率是决胜关键过去两年光伏多晶硅片转换效率不断提高,成本逐步降低,市场占有率也不断提高。

      来源:日经能源环境网2013-05-06

      这是因为,n有机半导体材料易...三菱化学公司信息电子本部执行董事、opv事业推进室室长星岛时太郎说:我们并不想与现有结晶硅太阳能电池决一胜负。不在转换效率及发电成本方面进行竞争。

      来源:OFweek太阳能光伏网2013-04-27

      (二)问题电池的来源1.硅材料自身的缺陷2.电池制造的原因1)去边不彻底、边缘短路2)去边过头,p层向n层中心延伸,边缘栅线引起局部短路3)烧结不良,正电极或背电极与硅片接触不良,串联电阻增大4)烧结过度

      来源:世纪新能源网2013-04-22

      电池选用n衬底材料,前后表面均覆盖一层热氧化膜,以降低表面复合。利用光刻技术,在电池背面分别进行磷、硼局部扩散,形成有指状交叉排列的p区、n区,以及位于其上方的p+区、n+区。

      来源:《光伏产业观察》杂志2013-04-19

      ald表面钝化技术可用于n硅片的正面和背面。除了顺风光电最新的研发成果之外,深圳捷佳伟创在此方面近期也取得了阶段性突破。在半导体材料中,某种载流子占少数,导电中起到次要作用,则称它为少子。

      来源:SEMI2013-04-16

      在现今几乎所有的硅片太阳能电池中,用ag作为n发射极上的指形电极,而al用于作为p基极上的背电极。硅片太阳能电池达到万亿瓦数量级的主要瓶颈之一是ag的稀少。根据美国地质调查(u.s.