来源:北极星太阳能光伏网2011-11-15
维利安半导体曾获得美国能源部sunshot计划480万美元的资金支持,用于背接触光伏电池的等离子注入工艺研发,并在2011年2月的上海snec展会推出了solionpv离子注入平台。...此次收购使应用材料公司获得了维利安公司市场领先的离子注入技术。
来源:北极星太阳能光伏网(独家)2011-11-14
该产品采用磷扩散来形成有效背场,通过类似正面的栅线设计来实现接触的方式,使电池能够双面发电,其规模化生产的电池转换效率达18.7%,其实验室转换效率达19.89%,为中国首款高效n型硅太阳能电池的量产项目
来源:环球光伏网2011-10-20
单晶产品因效率表现较目前主流多晶来得高,在效率要求快速提升之际,单晶高效产品被视为可望成为下阶段太阳能主流产品,包括以日本三洋为代表的hit(heterojunctionwithintrinsicthinlayer)、sunpower的背接触型太阳能电池
来源:《日经电子》2011-10-13
此次通过达到10%,以后无论在销售方面还是在技术宣传方面都将更为有利。除此之外,夏普还展示了背接触构造的单晶硅型太阳能电池模块blacksolar。
来源:Solarbe2011-09-30
目前,光伏电池生产中应用了各种光伏转换技术,包括背场技术、异质结、钝化层、选择性发射极技术、新光捕获技术、正面金属化以及双面电池。
来源:solarzoom2011-09-16
(b)钝化发射区和背表面电池(perc):铝背面吸杂是pesc电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射,它成了限制pesc电池技术进一步提高的主要因素。
来源:Solarbe2011-09-13
用铜浆替代银浆将是未来电池的核心技术,我们将看到,通过这种新技术,类似的效率也可以实现。背接触电池的进展和硅异质结电池效率的提高是本周展会的一大亮点。在这些领域,我们看到欧洲和日本创纪录的电池效率。
来源:环球光伏网2011-07-27
以双面指叉背接触(bifacialinterdigitatedback-contact)技术生产高效率太阳能著名的sunpower,发布第2季(4~6月)财测指出,第2季营收将高于预期,但受到德国市况及意大利政策改变导致产品组合出现变化
来源:PV-Tech2011-07-13
在一次与财务分析师讨论收购事宜的电话会议中,晶澳太阳能管理层强调,能提供高品质单晶硅片的供应商少之又少,而由于使用选择性发射极太阳能电池和背接触设计能来提高电池效率的需求愈演愈烈,对单晶硅片的需求量也逐渐增加
这款名为q.antum的电池技术采用了180m厚的多晶硅片,金属电极设在电池背表面,电池表面经过了纳米层钝化。电池后表面涂有介电层,并配有局部点接触电极。...2011年4月,q-cells公司曾使用q.antum技术制造出了效率高达19.5%的电池。
来源:pv-tech2011-07-05
在太阳能方面,tno参与过诸多项目的研究:氧化锌透明导电膜的快速低温沉积,聚合物有机电池,空间太阳能电池高辐照镀膜工艺、背接触电池导电胶,微型逆变器等。...这种电池技术将主栅线从传统的正面转移至背面,正面只保留细金属栅线,因此降低表面栅线遮挡损失,因此又被称作背电极电池,sunpower的高效电池也采用了这种技术路线。
来源:太阳能新闻网2011-03-08
来源:互联网2010-09-07
可使用霍尼韦尔新型材料的晶硅电池结构包括选择性发射极、背部钝化、点接触和硼背场(bsf)电池。...霍尼韦尔国际(honeywellinternational)是一家位列财富100强的多元化技术和制造行业的领先企业。
来源:互联网2010-02-21
京瓷表示它已经改进了其专有的背接触技术和模块设计以提高每个电池的性能,从而提高整体的能量转换效率。...这个创纪录的背接触组件总面积有13,379平方厘米,在发展阶段配置中,使用54个150×155毫米的多晶硅片。京瓷表示,单个硅片在发展阶段已达到了18.5%的转换效率。
来源:光明日报2009-07-31
背接触电池技术也已经发展到产业化程度,转换效率可达到20%,目前实验室最高效率可达到26.8%。...图1多晶硅转化率变化 数据来源:欧洲光伏工业协会(epia) (2)薄膜电池、背接触电池、聚光太阳电池、带有自动跟踪的平板太阳电池系统等新技术大量出现,多元技术竞争的格局已经形成。
来源:中国新能源网2008-10-29
另一个问题是金属与硅接触面较大时,必将导致少子复合速度提高。工艺中,采用了隧道结接触的方法,在硅和金属成间形成一个较薄的氧...多晶硅的生产工艺不断取得进展,全自动浇铸炉每生产周期(50小时)可生产200公斤以上的硅锭,晶粒的尺寸达到厘米级;由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快,其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产,例如选择腐蚀发射结、背表面场