来源：solarzoom2012-03-14

(2)非晶硅层的制备方法hit电池的非晶硅层通常用等离子增强化学气相沉积(pecvd)技术进行制备。...与pecvd相比，hwcvd产生的等离子能量较低，能有效避免离子的轰击，同时可产生用于预处理硅片表面的低能原子氢，制备过程中的粉尘较少，不易使a-si：h薄层短路。

来源：21IC电子网2011-08-10

由于影响pecvd系统淀积效果的参数很多，如气体流量和流量比，工艺腔温度，射频功率，沉积气压等等，而且对不同的pecvd设备会有不同的最佳参数，我们有必要就主要的控制参数进行研究，摸索出在这台pecvd

来源：中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心 孟凡英2011-06-15

目前硅基薄膜太阳能电池，无论单结、双结还是三结电池，制造工艺都是采用等离子体增强的化学气相沉积(pecvd)方法，真空腔的清洗基本是氟化物(sf6或nf3)，排出物是含氟气体。...与常规的晶体硅太阳能电池相比，这些薄膜电池使用材料很少，构成太阳能电池的薄膜材料厚度不超过5微米，而晶体硅电池厚度约180微米～200微米。

来源：中国新能源网2008-10-29

制作减反射膜层 对于高效太阳电池，最常用和最有效的方法是蒸镀zns/mgf2双层减反射膜，其最佳厚度取决于下面氧化层的厚度和电池表面的特征，例如，表面是光滑面还是绒面，减反射工艺也有蒸镀ta2o5, pecvd