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太阳能电池作为一种半导体器件,其I-V曲线必然复合半导体I-V曲线特征。
以最大功率点在I-V曲线上的形成的矩形面积除以Voc与Isc形成的面积作为FF,即填充因子。作为半导体器件,其在Isc附近的曲线符合电流源特性,在Voc附近的曲线符合电压源特性,因此以Isc附近曲线斜率倒数作为并联电阻Rsh,以Voc附近曲线斜率倒数作为串联电阻Rs。
从图中可见,Isc附近曲线斜率与Voc附近曲线斜率对FF影响极大,即FF大小受制于Rs与Rsh。
测试过程中亮场与暗场情况下正向与反向偏压的I-V曲线如下所示。
◎串联电阻测量方式
RserLf:在亮场正向偏压下,Uoc附近电压变化较小,利用线性回归计算得出。
RserDf:在暗场正向偏压下,选取I-V曲线中的某段曲线,利用线性回归计算得出,回归的区域可以利用软件设置。
RserLfDf:根据亮场与暗场的正向偏压曲线计算得出,因二极管效应在亮场与暗场下存在差异。
ReserIEC891:根据国际标准IEC891,利用2级或3级光源来计算,取值的差异取决于使用的光强等级。
Halm:ReserIEC891:此项为测试串阻。
Berger:计算值使用 DIN EN 60891标准,使用的光强分别为1000W与500W,计算公式为∆U/(Isc@1000-Isc@500W)
◎并联电阻测量方式
RshuntLf:在亮场正向偏压下,Isc附近电流变化较小,利用线性回归计算得出。
RshuntDr:利用暗场反向偏压的线性回归测试的并阻。
RshuntDf:利用暗场正向偏压下测量的并阻,不适合测量并联电阻低的电池。
Halm:RshuntDfDr:同时测量RshuntDr和RshuntDf,通常情况下将及时得出采用RshundDf,在并联较低的情况下,采用RshuntDr。
Berger:采用RshuntDr作为并联电阻
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