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JAIST采用此次开发的工艺，在玻璃基板上制作出了pin型非晶硅太阳能电池。此前仅对i层采用此次的涂覆工艺、对p层及n层采用CVD法制作的电池单元，其转换效率为1.79%。而对pin层全部采用涂覆工艺制作出的电池单元的转换效率则达到了0.51%。不过，此次的i层的膜厚为120nm，相对于已有非晶硅太阳能电池的250nm厚度来说还比较薄。如果能加大这一厚度，那么效率就有可能提高。

(一)新产品

1.三星发布输出功率为260W的结晶硅型太阳能电池模块，转换效率为15.9%

韩国三星电子发布了转换效率为15.9%、输出功率为260W的结晶硅型太阳能电池模块，并且在正于韩国首尔近郊举办的“InternationalSolarEnergyExpo&Conference”(2011年2月16～18日，KINTEX)上进行了展示。该公司预定在2011年上半年开始试生产。

三星电子表示，目前已经投产结晶硅型太阳能电池模块的德国、日本和中国等竞争对手的普通产品的输出功率为230W，而三星的产品与之相比提高了约30W。另外，竞争对手的产品的转换效率为14%左右，而三星的产品达到15.9%，实现了差异化。

除此之外，三星电子还公开了薄膜CIGS型太阳能电池模块。薄膜CIGS型与结晶硅型相比，易于兼顾大面积化和低成本化。另外，制造工艺与液晶面板类似，对于一直在液晶领域积累技术的三星而言，具有技术优势。

2.德国AVANCIS开发出转换率15.5%的ZnO电极CIS太阳能电池

德国AVANCIS公司宣布，其30cm见方CIS型太阳能电池模块的转换效率达到了15.5%。据该公司介绍，这一转换效率值已得到美国国家可再生能源实验室(NREL)的认定。

AVANCIS曾于2010年1月宣布同一尺寸的模块达到了15.1%的转换效率。此次之所以能够提高性能，主要是因为“模块正面的电极采用了导电性较高的ZnO”。

AVANCIS公司目前正以年产20MW的规模生产转换效率为12%的太阳能电池面板。据介绍，该公司目前正在其总部建设年产100MW的第2工厂，还计划在韩国建设同等规模的第3工厂。该公司表示将在这些新工厂的面板生产中采用此次研发过程中开发的多项技术。

最近，包括CIS型在内的CIGS类太阳能电池方面，较大尺寸模块的转换效率超过15%的消息接连发布。2010年9月，日本SolarFrontier的30cm见方子模块达到了16.29%。2010年12月，美国MiaSole公司的1m见方太阳能电池面板达到了15.7%。

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