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图一腐蚀对杂质浓度分布的影响:表面浓度显著降低
图二
重掺杂再腐蚀的发射极杂质浓度分布与一次扩散的发射极有所不同,表面浓度较低,p-n结更深。
图三腐蚀后的少子寿命
经过重掺杂再腐蚀,硅片的少子寿命显著提高。
对于高的方块电阻,需要相应地调整SiNx镀膜工艺以达到更好的钝化效果。
图四腐蚀后的饱和电流
相同的方块电阻下,经过重掺杂再腐蚀的饱和电流更低。
重掺杂的方块电阻越小,腐蚀后饱和电流越低。
图五腐蚀后反射率的提高
腐蚀后硅片反射率有明显的上升,主要在400~700nm和1100~1200nm的波段。
图六反射率的提高对电池短路电流的影响
腐蚀深度小于80nm时,反射率的提高对短路电流造成的损失小于0.05mA/cm2。腐蚀深度继续增加,短路电流的损失会更显著。
3、重扩散-腐蚀制备太阳能光伏电池
图七电学参数
图八光谱响应
由图可知:IQE从300~420nm的短波段明显提高;
反射率从300~600nm有明显的提高,中长波基本相近;
EQE从300~400nm的短波明显提高,但420~700nm略有下降。
总结:
HF/HNO3体系腐蚀的腐蚀影响因素众多;
发射极经过腐蚀,可以优化杂质浓度分布,提高少子寿命,降低饱和电流;
先重掺杂再均匀腐蚀制备电池,相比一次扩散的电池效率提高~0.18%。(作者曾飞)
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