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晶体硅电池组件EL缺陷分析

2012-04-24 10:04来源:北极星太阳能光伏网关键词:晶体硅电池组件EL收藏点赞

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EL检测仪,又称太阳能组件电致发光缺陷检测仪,是跟据硅材料的电致发光原理对组件进行缺陷检测及生产工艺监控的专用测试设备。给晶体硅电池组件正向通入1-1.5倍Isc的电流后硅片会发出1000-1100nm的红外光,测试仪下方的摄像头可以捕捉到这个波长的光并成像于电脑上。因为通电发的光与PN结中离子浓度有很大的关系,因此可以根据图像来判断硅片内部的状况。

缺陷种类一:黑心片

EL照片中黑心片是反映在通电情况下电池片中心一圈呈现黑色区域,该部分没有发出1150nm的红外光,故红外相片中反映出黑心,此类发光现象和硅衬底少数载流子浓度有关。这种电池片中心部位的电阻率偏高。

缺陷种类一:黑心片

缺陷种类二:黑团片

多晶电池片黑团主要是由于硅片供应商一再缩短晶体定向凝固时间,熔体潜热释放与热场温度梯度失配导致硅片内部位错缺陷。

缺陷种类二:黑团片

缺陷种类三:黑斑片

黑斑片一般是由于硅料受到其他杂质污染所致。通常少数载流子的寿命和污染杂质含量及位错密度有关。黑斑中心区域位错密度>107个/cm2,黑斑边缘区域位错密度>106个/cm2均为标准要求的1000~10000倍这是相当大的位错密度。

缺陷种类三:黑斑片

缺陷种类四:短路黑片

缺陷种类五:非短路黑片

短路黑片、非短路黑片成因

电池片黑片有两种,全黑的我们称之为短路黑片,通常是由于焊接造成的短路或者混入了低效电池片造成的。而边缘发亮的黑片我们称之为非短路黑片,这种电池片大多产生于单面扩散工艺或是湿法刻蚀工艺,单面扩散放反导致在背面镀膜印刷,造成是PN结反,也就是我们通常所说的N型片,这种电池片会造成IV测试曲线呈现台阶,整个组件功率和填充因子都会受到较大影响。

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