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工信部公开征求对《光伏制造行业规范条件(2015年本)》(征求意见稿)的意见

2015-01-12 14:16来源:工信部关键词:工信部光伏制造行业规范条件光伏政策收藏点赞

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(五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求:

1.多晶硅满足《硅多晶》(GB/T12963)2级品以上要求;

2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2.5μs,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11μs,碳、氧含量分别小于1和16PPMA;

3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18.5%和20%;

4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%;

5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、13%、13%、12%。

(六)多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在1年内分别不高于2.5%和3%,25年内不高于20%;薄膜电池组件衰减率在1年内不高于5%,25年内不高于20%。

三、资源综合利用及能耗

(一)光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准,严格保护耕地,节约集约用地。

(二)光伏制造项目能耗应满足以下要求:

1.现有多晶硅项目还原电耗小于65千瓦时/千克,综合电耗小于120千瓦时/千克;新建和改扩建项目还原电耗小于55千瓦时/千克,综合电耗小于100千瓦时/千克;

2.现有硅锭项目平均综合能耗小于8.5千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克;如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品,项目平均综合能耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克;

3.现有硅棒项目平均综合能耗小于45千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于40千瓦时/千克;

4.现有多晶硅片项目平均综合能耗小于45万千瓦时/百万片,新建和改扩建项目小于40万千瓦时/百万片;现有单晶硅片项目平均综合耗小于40万千瓦时/百万片,新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片;

5.电池项目平均综合能耗小于12万千瓦时/MWp;

6.晶硅电池组件项目平均综合能耗小于6万千瓦时/MWp;薄膜电池组件项目平均能耗小于50万千瓦时/MWp。

原标题:公开征求对《光伏制造行业规范条件(2015年本)》(征求意见稿)的意见
投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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