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“随着光伏发电需求的增加,光伏逆变器的销量越来越大。量产效果应该有助于降低功率半导体的成本”,日本田渊电机公司常务执行董事、统管功率电子业务的坂本幸隆这样说道。
光伏逆变器是将太阳能电池板生产的电力从直流电转换成交流电(DC/AC转换)的装置。在日本,随着光伏发电固定价格收购制度的实施,以百万瓦(MW)级光伏电站为中心,光伏发电装机容量呈现“泡沫增长”景象。所需的光伏逆变器数量也随之增加,光伏发电领域形成了性能提高、同时成本降低的环境。
田渊电机是日本首家在光伏逆变器中采用SiC二极管的企业。在7月3日举办的研讨会“新一代功率半导体的影响力”上,坂本发表了题为“从逆变器看新器件的实用化与期待”的演讲,阐述了逆变器企业对功率半导体寄予的期望。
该公司采用SiC二极管的逆变器通过减少开关损耗和导通损耗,大幅降低了转换损失。虽然目前仍需组合使用IGBT(绝缘栅双极型晶体管),但今后,通过完全采用SiC,估计损耗还将减少60%左右。
坂本介绍说,“采用SiC二极管并没有造成成本大幅上涨。如果能全部使用SiC,成本反而有可能降低”。
坂本向功率半导体的开发人员呼吁,对于耐压超过700V、导通电阻小于25mΩ、饱和电压超过14Vds的器件,“希望能够以低于1000日元的价格实现”。
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这个春天,“新质生产力”成为当之无愧的顶流,持续霸占热词榜Top1。当上能电气遇上“新质生产力”,又会迸发出什么样的火花?在持续实现自身突破性发展的过程中,上能电气用心擘画“新质生产力”,正以昂扬的姿态在绿色高质量发展道路上奋进。创新深研引领高质发展跑出加速度作为全球领先的光储解决方
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3月19-21日,首航新能源携从“微”到“大”的全场景光储应用产品亮相SolarSolutionsAmsterdam展会,向参展观众全方位展示了光储互融的能源解决方案;通过近距离的交流互动,进一步加强与荷兰本地客户之间的连接纽带,巩固并提升彼此建立的良好合作关系。展会上,针对荷兰多样化的细分市场,首航展出了
日前,西班牙逆变器制造商PowerElectronics在其2024-2027年的战略计划中表示,计划投资3亿欧元(3.28亿美元)扩大其在西班牙和美国的逆变器产能。公司发言人表示,公司目前的产能为30GW,到2026年公司将在美国增加20GW以上的制造能力。据了解,新工厂将占地174015平方米,将采用最新的制造和装配技术,
3月20日,国家电投发布黄南州尖扎滩30万千瓦光伏项目1500V组串式逆变器及集成平台招标公告,合计容量656.6MW。其中,逆变器招标机型要求300kW≤P≤320kW,采购容量302.4MW。本次采购的光伏逆变器及集成平台,主要针对集团公司黄河公司光伏项目建设需求,投标文件递交的截止时间为2024年4月9日。投标人
今年两会,“新质生产力”无疑是最高频的热词。自2023年在地方考察时首次提出,到2024中央政治局首次集体学习又一次聚焦,再到2024全国两会上共商国是时深入阐释,新质生产力这一概念已经被全方位解读。事实上,新质生产力代表着一种生产力“质”的跃迁。它是科技创新在其中发挥主导作用的生产力,高效
3月19日,中核集团2024年度光伏逆变器一级集中采购项目中标候选人公布,共计11家企业入围。标段一中标候选人7家企业入围,分别为科士达、科华数能、禾望科技、上海超希实业有限公司、上能电气、株洲变流技术国家工程研究中心有限公司、浙江日风电气股份有限公司。标段二中标候选人8家企业入围,分别为
3月18日,华能集团2024年第二批逆变器框架协议采购招标,招标公告显示,本次框架协议采购范围为框架协议有效期内集团公司所属区域(产业)公司光伏生产或基建发电项目逆变器。本次框架招标按单价进行采购,预估采购容量3GW。注:以上报价为到场价,含税含运价格。投标人资格要求1通用资格条件1.1投标人
2月底,中国区智能光伏春季订货会上,华为逆变器新品150K迅速出圈成功卖出8万台,成为本次订货会中最大看点。上市仅半年多的华为旗舰逆变器表现确实亮眼。稳定可靠,“六边形战士”靠什么突围?逆变器作为光伏发电的“心脏”,其角色至关重要,其可以决定电站的发电效率、安全保障、安装以及运维的成本
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通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于,越是低耐压产品,基片上层积的漂移层就越薄,因此在SiC二极管的导通电阻中,基片的电阻成分所占比例就越大。目前,SiC基片的厚度以350μm为主流,超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度,许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。比如,罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm,并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管(SBD)。在SiC相关国际学会“ICSCRM2013&
日本风险企业Sicoxs开发出了低成本生产制作SiC功率元件使用的SiC单晶基片的新方法,主要是通过减小SiC单晶体的厚度来削减成本。据介绍,采用新方法后,可将制造成本降至原来的1/2以下。制造方法如下。首先,将单晶SiC基片贴合在多晶SiC基片上。然后,一边加热一边将单晶基片从多晶基片上剥离,剥离时使单晶基片的一部分留在多晶基片上。对单晶基片还粘在多晶基片上的部位实施研磨等处理,然后作为制造功率元件使用的基片出货,制造功率元件时,将元器件结构设置在单晶SiC上。将剥离下来的单晶基片再次贴到多晶基片上,然后进行上述操作。反复进行这一系列操作后,就能由一
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