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多晶硅的制作方法

北极星太阳能光伏网  来源:新浪博客    2013/9/24 15:22:06  我要投稿  

北极星太阳能光伏网讯:1.装料

将装有涂层的石英坩埚在热交换台上,加入硅原料,然后安装加热设备、隔热设备和炉罩,将炉内抽真空使炉内压力降至0.05-0.1mbar并保持真空。通入氩气作为保护气,使炉内压力基本维持在400-600mbar左右。

2.加热

利用石墨加热器给炉体加热,首先使石墨部件、隔热层、硅原料等表面吸附的湿气蒸发,然后缓慢加温,使石英坩埚的温度达到1200-1300℃左右,该过程需要4-5h。

3.化料

通入氩气作为保护气,使炉内压力基本维持在400-600mbar左右。逐渐增加加热功率,使适应坩埚内的温度达到1500℃左右,硅原料开始熔化。熔化过程中一直保证1500℃左右,直至化料结束。该过程约要20-22h。

4.晶体生长

硅原料熔化结束后,降低加热功率,使适应坩埚的温度降至1420-1440℃硅熔点左右。然后石英坩埚逐渐向下移动,或者隔热装置逐渐上升,使得石英坩埚慢慢脱离加热区,与周围形成热交换;同时,冷却板通水,使熔体的温度自底部开始降低,晶体硅首先在底部形成,生长过程中固液界面始终保持与水平面平行,直至晶体生长完成,该过程约要20-22h。

5.退火

晶体生长完成后,由于晶体底部和上部存在较大的温度梯度,因此,晶锭中可能存在热应力,在硅片加热和电池制备过程中容易再次硅片碎裂。所以,晶体生长完成后,硅锭保持在熔点附近2-4h,使硅锭温度均匀,减少热应力。

6.冷却

硅锭在炉内退火后,关闭加热功率,提升隔热装置或者完全下降硅锭,炉内通入大流量氩气,使硅锭温度逐渐降低至室温附近;同时,炉内气压逐渐上升,直至达到大气压,该过程约要10h。

投稿联系:陈女士 13693626116   QQ: 1831213786
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