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工信部:光伏制造行业规范条件(征求意见稿)

2013-08-28 00:00来源:中华人民共和国工业和信息化部关键词:工信部光伏制造行业规范条件企业准入标准收藏点赞

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(五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求:

1.多晶硅满足《硅多晶》(GB/T12963)2级品以上要求;

2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2.5μs,电阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11μs,电阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;

3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和20%;

4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%;

5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。

(六)多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年内分别不高于3.2%和4.2%,25年内不高于20%;薄膜电池组件衰减率在2年内不高于5%,25年内不高于20%。

三、资源综合利用及能耗

(一)光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准,严格保护耕地,节约集约用地。

(二)光伏制造项目能耗应满足以下要求:

1.现有多晶硅项目还原电耗小于80千瓦时/千克,综合电耗小于140千瓦时/千克;新建和改扩建项目还原电耗小于60千瓦时/千克,综合电耗小于100千瓦时/千克;

2.现有硅锭项目平均综合能耗小于9千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克;如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品,项目平均综合能耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克;

投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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