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工信部:光伏制造行业规范条件(征求意见稿)

2013-08-28 00:00来源:中华人民共和国工业和信息化部关键词:工信部光伏制造行业规范条件企业准入标准收藏点赞

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4.硅片年产能不低于5000万片;

5.晶硅电池年产能不低于200MWp;

6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp;

7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。

(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求:

1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的要求;

2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2μs,电阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10μs,电阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA;

3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;

4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%;

5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。

投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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