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太阳能光伏PECVD镀膜设备

2012-05-24 11:09来源:北极星太阳能光伏网关键词:PECVD太阳电池光伏收藏点赞

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6.3.2PECVD的性能指标

PECVD的主要性能指标(如表6.1),PECVD设备的主要特点(如表6.2),从表6.1和6.2可以看出,该设备成膜种类为氮化硅,这种PECVD成膜均匀性好、稳定性高。每片硅片间不均匀性误差在5%之内,同一批硅片间的误差在6%之内,不同批次硅片间误差在7%之内。温度要求比较低,成膜温度为150℃~500℃,恒温区温度均匀,误差范围在2℃之内,并且在整个成膜过程中随时间变化小,误差范围为2℃/24h之内。升温时间较短,工作压力范围广,恢复真空时间短,设备封闭性强并且具有温度控制和计算机自动监控等安全措施功能。除此之外,PECVD与一般CVD相比有更多的优点(见表6.3)。

表6.1PECVD的主要性能指标

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